
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器,封装:6-SOIC-IC
- 技术参数:DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SOIC
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ADUM4120ARIZ是ADI(Analog Devices)公司基于其成熟的iCoupler磁隔离技术开发的一款单通道隔离式栅极驱动器。该器件采用先进的芯片级变压器实现信号与电源的隔离,其核心架构将输入逻辑信号通过磁耦合方式跨越高隔离栅进行传输,并在输出侧由独立的驱动级进行功率放大,从而实现对功率开关器件(如MOSFET、IGBT)的可靠、高速控制。这种架构从根本上避免了传统光耦器件因LED老化导致的性能衰退问题,提供了更稳定、更长寿的解决方案。
该器件集成了多项关键功能特性,使其在严苛的工业与能源应用中表现出色。其高达5000Vrms的隔离电压能够有效承受系统侧与功率侧之间的高压差,确保人员与低压控制电路的安全。同时,其卓越的共模瞬变抗扰度(CMTI)最小值达到150kV/s,这意味着即使在功率回路发生剧烈开关动作、产生巨大dv/dt噪声干扰时,驱动器也能保持稳定输出,有效防止误触发,极大提升了系统的鲁棒性与可靠性。对于需要从可靠ADI代理商处采购关键隔离器件的工程师而言,这些参数是选型的重要依据。
在电气性能方面,ADUM4120ARIZ提供了优异的开关速度与驱动能力。其传播延迟典型值低至69ns(tpLH)和79ns(tpHL),最大脉宽失真仅为16.5ns,结合18ns的典型上升/下降时间,确保了精确的PWM信号传输与快速的开关响应,有助于提高系统效率并降低开关损耗。输出侧支持4.5V至35V的宽范围供电电压,可灵活适配不同功率器件的栅极驱动需求,并能够提供高达2.3A的峰值拉/灌电流,足以快速对功率器件的栅极电容进行充放电,减少开关过渡时间。器件采用紧凑的6引脚SOIC_IC封装,工作温度范围覆盖-40°C至125°C的工业级标准。
基于其强大的隔离能力、高速性能与驱动强度,ADUM4120ARIZ非常适合应用于对安全性与可靠性要求极高的场景。典型应用包括工业电机驱动与伺服控制系统、光伏逆变器与储能系统(ESS)中的DC-AC或DC-DC功率转换模块、不间断电源(UPS)以及充电桩模块。在这些应用中,它能够安全、高效地驱动高压侧的IGBT或SiC MOSFET,实现精准的功率控制,同时将低压控制单元与危险的高压母线彻底隔离,构建起坚固的系统安全屏障。
- 型号:ADUM4120ARIZ
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:6-SOIC-IC
- 类目:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器
- 描述:DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SOIC
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 技术:磁耦合
- 通道数:1
- 电压 - 隔离:5000Vrms
- 共模瞬变抗扰度(最小值):150kV/s
- 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):69ns,79ns
- 脉宽失真(最大):16.5ns
- 上升/下降时间(典型值):18ns,18ns
- 电流 - 输出高、低:-
- 电流 - 峰值输出:2.3A
- 电压 - 正向 (Vf)(典型值):-
- 电流 - DC 正向 (If)(最大值):-
- 电压 -输出供电:4.5V ~ 35V
- 等级:-
- 资质:-
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:6-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
- 供应商器件封装:6-SOIC-IC
- 认证机构:CSA,UR,VDE
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ADUM4120ARIZ是ADI公司推出的一款采用iCoupler磁隔离技术的单通道隔离栅极驱动器。该器件提供5000Vrms的强化电气隔离,并具备高达150kV/s的最小共模瞬变抗扰度(CMTI),确保在恶劣的功率开关噪声环境下信号传输的完整性与可靠性。
其电气性能突出,具备高速开关特性,典型传播延迟低于80ns,最大脉宽失真为16.5ns,能够实现精确的PWM控制。输出侧支持4.5V至35V的宽范围驱动电源,并可提供2.3A的峰值输出电流,确保对功率MOSFET或IGBT栅极的快速、强力驱动。器件采用6-SOIC封装,工作温度范围为-40°C至125°C,适用于要求高可靠性的工业与能源应用。



















