ADUM3223WBRZ是亚德诺半导体（ADI）推出的一款采用磁耦合（iCoupler）技术的双通道隔离式栅极驱动器。该器件集成了两个独立的隔离通道，每个通道均能提供高达4A的峰值输出电流，专为高效、可靠地驱动功率MOSFET和IGBT而设计。其核心架构基于ADI成熟的芯片级变压器技术，不仅实现了信号与电源的高性能电气隔离，还确保了在严苛的工业与汽车环境下信号的完整性与传输的精确性。

该器件具备3000Vrms的隔离电压和高达50kV/s的共模瞬变抗扰度（CMTI），这使其在存在剧烈电压摆动的功率转换应用中，能够有效抑制噪声干扰，防止误触发，保障系统稳定运行。其传播延迟典型值极低，且两个通道间的延迟匹配性能出色，这有助于在多相拓扑或桥式电路中实现精确的同步控制，优化开关效率并降低损耗。对于需要可靠元器件供应的客户，可以通过授权的ADI代理商获取原厂正品和技术支持。

在接口与电气参数方面，ADUM3223WBRZ的次级侧输出供电范围宽达7.5V至18V，兼容多种栅极驱动电压需求。其典型上升和下降时间仅为12ns，结合4A的强大拉灌电流能力，可以快速对功率器件的栅极电容进行充放电，从而显著减小开关损耗，提升系统整体效率。器件采用紧凑的16引脚SOIC宽体封装，支持表面贴装，工作温度范围覆盖-40°C至125°C，完全满足汽车级（Automotive）应用的可靠性要求。

基于其高可靠性、快速开关性能和强大的抗干扰能力，ADUM3223WBRZ非常适用于电动汽车（EV）的牵引逆变器、车载充电机（OBC）、工业电机驱动、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等高压、高噪声环境。在这些场景中，它作为控制系统与功率开关之间的关键桥梁，确保了高压侧与低压侧的安全隔离与精准控制，是构建高效、紧凑且鲁棒的功率电子系统的理想选择。

• 型号:ADUM3223WBRZ
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:16-SOIC
• 类目:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器
• 描述:DGTL ISO 3KV 2CH GATE DVR 16SOIC
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 技术:磁耦合
• 通道数:2
• 电压 - 隔离:3000Vrms
• 共模瞬变抗扰度（最小值）:50kV/s
• 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:54ns，54ns
• 脉宽失真（最大）:-
• 上升/下降时间（典型值）:12ns，12ns
• 电流 - 输出高、低:-
• 电流 - 峰值输出:4A
• 电压 - 正向 (Vf)（典型值）:-
• 电流 - DC 正向 (If)（最大值）:-
• 电压 -输出供电:7.5V ~ 18V
• 等级:汽车级
• 资质:-
• 工作温度:-40°C ~ 125°C
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:16-SOIC
• 认证机构:CSA，UR，VDE
• ADUM3223WBRZ优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。

ADUM3223WBRZ是ADI公司基于iCoupler磁隔离技术的一款双通道、高性能隔离栅极驱动器。该器件专为驱动功率MOSFET和IGBT设计，提供高达4A的峰值输出电流和3000Vrms的电气隔离，确保在高压应用中的安全性与可靠性。

其关键特性包括高达50kV/s的卓越共模瞬变抗扰度，能有效抑制开关噪声干扰；典型值仅12ns的快速上升/下降时间，结合宽输出供电范围（7.5V至18V），可显著优化功率器件的开关性能。该器件采用16-SOIC封装，工作温度范围为-40°C至125°C，符合汽车级标准，适用于要求严苛的工业与汽车动力系统。