
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:隔离器 > 数字隔离器,封装:8-SOIC-IC
- 技术参数:DGTL ISOLTR 5KV 1CH GP 8-SOIC
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ADUM210N1BRIZ-RL是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款高性能单通道数字隔离器,隶属于其成熟的iCoupler数字隔离器产品系列。该器件采用基于芯片级变压器的磁耦合技术,在单个硅片上集成了高速CMOS工艺与微型变压器,实现了信号与电源传输路径的物理隔离。这种架构摒弃了传统光耦依赖LED与光电晶体管的光电转换模式,从根本上解决了光耦器件老化、速度慢、功耗高以及时序性能不佳等问题,为系统设计提供了更可靠、更精确的隔离解决方案。
该隔离器的核心功能在于提供一条单向、高速的数据通道,其输入侧与输出侧之间具有高达5000Vrms的电气隔离强度,能够有效阻断危险电压、抑制接地环路噪声并防止系统间电势差造成的损坏。得益于先进的磁耦合设计,其共模瞬变抗扰度(CMTI)高达75kV/s,即使在工业电机驱动、电源转换等存在剧烈电压跳变的恶劣电磁环境中,也能确保数据完整传输,避免因共模噪声干扰而产生的误码。其数据速率最高可达150Mbps,同时保持了优异的时序特性:典型传播延迟仅为13ns,脉宽失真(PWD)最大不超过3ns,上升/下降时间典型值为2.5ns。这些特性使其能够无缝支持高速数字通信协议,如SPI、IC、RS-485/422等,且对信号时序的影响微乎其微。
在接口与工作参数方面,ADUM210N1BRIZ-RL展现了高度的灵活性与鲁棒性。其供电电压范围宽达1.7V至5.5V,允许其与低压微控制器及多种逻辑电平直接接口,无需额外的电平转换电路,简化了系统设计。器件采用标准的8引脚SOIC宽体封装,符合表面贴装工艺要求。其工作温度范围覆盖-40°C至+125°C的工业级标准,确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠元器件供应与技术支持的工程师,可以通过正规的ADI中国代理获取该产品样品、数据手册及设计资源。
凭借其高隔离耐压、高抗扰度、高速率与宽电压范围的特点,ADUM210N1BRIZ-RL非常适合应用于对安全性与信号完整性要求极高的场合。典型应用包括工业自动化系统中的PLC数字I/O隔离、电机驱动与逆变器中的栅极驱动信号隔离、医疗设备中符合安全标准的信号传输、通信基站电源模块的反馈控制,以及电动汽车充电桩和电池管理系统(BMS)中的高压侧信号采集与通信。它为工程师提供了一种紧凑、高效且可靠的方案,以应对系统内不同电压域之间安全、精确的数据交换挑战。
- 型号:ADUM210N1BRIZ-RL
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:8-SOIC-IC
- 类目:隔离器 > 数字隔离器
- 描述:DGTL ISOLTR 5KV 1CH GP 8-SOIC
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 技术:磁耦合
- 类型:通用
- 隔离式电源:无
- 通道数:1
- 输入 - 侧 1/侧 2:1/0
- 通道类型:单向
- 电压 - 隔离:5000Vrms
- 共模瞬变抗扰度(最小值):75kV/s
- 数据速率:150Mbps
- 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):13ns,13ns
- 脉宽失真(最大):3ns
- 上升/下降时间(典型值):2.5ns,2.5ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 5.5V
- 等级:-
- 资质:-
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SOIC-IC
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ADUM210N1BRIZ-RL是一款采用磁耦合技术的单通道数字隔离器,提供高达5000Vrms的强化电气隔离。其核心优势在于极高的信号完整性,支持高达150Mbps的数据速率,并具备13ns的低传播延迟和3ns的最大脉宽失真,确保高速数字信号的精确传输。
该器件具备卓越的75kV/s共模瞬变抗扰度,能在噪声严重的工业环境中稳定工作。其宽电源电压范围(1.7V至5.5V)和-40°C至125°C的宽工作温度范围,使其能够灵活适配各种低压逻辑接口并满足严苛的工业应用要求。8-SOIC封装形式便于集成,适用于需要高可靠性信号隔离的紧凑型设计。
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