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HMC966LP4E 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频混频器,封装:24-QFN(4x4)
  • 技术参数:IC MMIC IQ DOWNCONVERTER 24-QFN
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HMC966LP4E 技术参数详情:

HMC966LP4E是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的高性能单片微波集成电路(MMIC)IQ下变频器。该器件采用先进的GaAs(砷化镓)pHEMT工艺制造,集成了完整的射频前端功能模块,包括本振(LO)放大器、IQ混频器对、中频(IF)放大器以及必要的偏置与控制电路。其核心架构旨在实现从射频到基带I/Q信号的高精度、高线性度转换,内部集成的90度移相器确保了优异的镜像抑制性能,为复杂调制信号的解调提供了硬件基础。

该芯片在17GHz至20GHz的Ku波段工作频率范围内表现出色,提供高达14dB的转换增益,这显著降低了系统对后续中频放大链路的增益要求。其噪声系数典型值仅为2.5dB,这对于维持整个接收链路的高信噪比至关重要。器件采用单电源+3.5V供电,典型工作电流为160mA,功耗与性能达到了优秀的平衡。其高集成度卓越的电气性能简化了系统设计,减少了外部元件数量,提升了模块的可靠性与一致性。对于需要稳定供货与技术支持的客户,可以通过官方授权的ADI一级代理商进行采购与咨询。

在接口与参数方面,HMC966LP4E采用紧凑的24引脚QFN(4mm x 4mm)表面贴装封装,适用于高密度PCB布局。器件提供了完整的射频(RF)、本振(LO)以及差分I/Q中频输出接口。其LO驱动功率要求适中,具有良好的端口隔离度,有助于减少系统内干扰。宽泛的工作频率和优异的线性度指标(如输入三阶交调点)使其能够处理高动态范围的输入信号,适应现代通信与雷达系统的严格要求。

得益于其宽频带、高增益和低噪声特性,HMC966LP4E非常适合于点对点无线通信、卫星通信终端、微波无线电、雷达系统以及测试测量设备中的下变频应用。在相控阵雷达的接收通道或软件定义无线电(SDR)平台中,其集成的IQ解调功能能够直接输出基带正交信号,极大地方便了后续的数字信号处理。它是工程师在开发高性能Ku波段接收子系统时,实现小型化、高性能设计的一个关键射频组件选择。

  • 型号:HMC966LP4E
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:24-QFN(4x4)
  • 类目:射频和无线 > 射频混频器
  • 描述:IC MMIC IQ DOWNCONVERTER 24-QFN
  • 系列:-
  • 包装:带
  • 产品状态:在售
  • 射频类型:通用
  • 频率:17GHz ~ 20GHz
  • 混频器数:1
  • 增益:14dB
  • 噪声系数:2.5dB
  • 辅助属性:降频变频器
  • 电流 - 供电:160mA
  • 电压 - 供电:3.5V
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:24-VFQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:24-QFN(4x4)
  • HMC966LP4E优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC966LP4E是ADI公司推出的一款MMIC IQ下变频器,采用24-QFN封装,工作于17GHz至20GHz的Ku波段。该器件集成了完整的下变频功能链,提供高达14dB的转换增益和仅2.5dB的低噪声系数,能有效提升接收链路的灵敏度和动态范围。

作为一款有源、表面贴装型射频混频器,它采用单+3.5V电源供电,典型工作电流为160mA,在实现高性能的同时兼顾了功耗。其高集成度的设计简化了外部电路,主要面向点对点通信、卫星通信及雷达系统等需要高性能、小型化射频前端的应用场景。

AD5672R:八通道12位nanoDAC+,内置2 PPM/°C基准电压源和SPI接口
ADP5360:具有超低功耗电量计、电池保护、降压和升降压功能的先进电池管理PMIC
LTC4368:具双向电路断路器的 100V UV/OV 和反向保护控制器
AD7823:2.7 V至5.5 V、4.5 ms、8位ADC,采用8引脚microSOIC/DIP封装
ADUC7029:精密模拟微控制器,12位模拟I/O,ARM7TDMI MCU
ADUC7024:精密模拟微控制器,12位模拟I/O,ARM7TDMI MCU
HMC339:GaAs MMIC次谐波混频器芯片,33 - 42 GHz
DAC8222:双通道12位双缓冲乘法CMOS D/A转换器
AD9705:10位、175 MSPS TxDAC 数模转换器
LT4256-3:具开路检测功能的正高电压热插拔控制器
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