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ADT6501SRJZP085-RL 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:传感器,变送器 > 温度传感器 > 温控器 - 固态,封装:SOT-23-5
  • 技术参数:THERMOSTAT 85DEGC ACT LO SOT23-5
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ADT6501SRJZP085-RL 技术参数详情:

作为一款固态温控器,ADT6501SRJZP085-RL的核心架构基于一个集成的温度传感单元与一个精密的比较器电路。该器件内部集成了一个带隙基准源,为温度阈值比较提供稳定的参考电压,其温度传感单元直接监测芯片结温。当检测到的温度达到预设的85°C跳断点时,内部比较器状态翻转,驱动输出级动作。这种一体化的设计省去了外部传感元件和复杂的信号调理电路,极大地简化了系统设计并提升了可靠性。

该温控器具备多项关键功能特性。其最核心的功能是提供85°C的固定温度阈值开关,当温度超过此阈值时,其开路漏极输出会拉低,发出有效的低电平过热报警信号(/OverTemp)。器件支持可选的温度滞后功能,这能有效防止在阈值点附近因温度微小波动而导致的输出频繁跳变,确保系统稳定。在功耗方面表现优异,典型供电电流仅为30A,非常适合电池供电或对功耗敏感的应用。其工作电压范围宽达2.7V至5.5V,能与多种逻辑电平兼容。

在接口与电气参数方面,ADT6501SRJZP085-RL采用低有效、开路漏极的输出形式,最大可吸收20mA的电流,能够直接驱动LED指示灯或作为微控制器的中断信号。其温度精度在典型工作条件下为±6°C,能够满足大多数过热保护场景的需求。器件采用表面贴装型的SOT-23-5(SC-74A)小型封装,占板面积小,便于在空间受限的PCB上布局。尽管该型号目前已处于停产状态,但通过正规的ADI代理渠道,工程师仍可获得可靠的技术支持与供应链服务。

该芯片典型的应用场景集中于需要简单、可靠过热保护的电子设备中。例如,它常被用于微处理器、FPGA或功率放大器的温度监控,一旦芯片或周边环境温度过高,其输出信号可立即触发系统进入关断或降频保护状态。此外,在消费电子产品、网络通信模块以及工业控制板的散热管理系统中,它也能作为一个经济高效的“看门狗”,防止因过热导致的永久性硬件损坏,提升整个系统的长期运行稳定性与安全性。

  • 型号:ADT6501SRJZP085-RL
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:SOT-23-5
  • 类目:传感器,变送器 > 温度传感器 > 温控器 - 固态
  • 描述:THERMOSTAT 85DEGC ACT LO SOT23-5
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 跳断温度阈值:Hot
  • 开关温度:85°C
  • 精度:±6°C
  • 电流 - 输出(最大值):20mA
  • 输出类型:开路漏极
  • 输出:低有效
  • 输出功能:/OverTemp
  • 可选滞后:是
  • 特性:-
  • 电压 - 供电:2.7 V ~ 5.5 V
  • 电流 - 供电:30A
  • 工作温度:-55°C ~ 125°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:SC-74A,SOT-753
  • 供应商器件封装:SOT-23-5
  • ADT6501SRJZP085-RL优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

ADT6501SRJZP085-RL是亚德诺半导体(ADI)推出的一款固态温控器,专为系统过热保护而设计。该器件集成了温度传感与比较输出功能,提供固定的85°C跳断温度阈值,当温度超过此限值时,其低有效、开路漏极的输出端会动作,发出过热报警信号。

器件工作在2.7V至5.5V的宽电压范围内,静态电流极低,典型值仅为30A,显著降低了系统待机功耗。其输出可吸收高达20mA的电流,并具备可选的温度滞后特性,能有效避免输出在阈值点附近的振荡。采用SOT-23-5小型封装,使其成为空间紧凑型应用的理想选择。

LTC6416:2GHz、低噪声、差分 16 位 ADC 缓冲器
MAT14:匹配单芯片四通道晶体管
ADP7182:-28 V、 200 mA、,低噪声、线性稳压器
AD8344:400 MHz 至1.2 GHz 有源接收混频器
LTC4012-3:具 PowerPath 控制功能的高效率型多化学组成电池充电器
AD6677:80 MHz带宽中频接收机
ADG1402:1 Ω 导通电阻、 ±15 V/+12 V/±5 V, iCMOS单刀单掷开关
AD7392:3 V、并行输入、微功耗、12位DAC
AD5520:单位引脚参数测量单元/信号源测量单元
AD7762:24位、625 KSPS、109 DB Σ-Δ型ADC,内置片内缓冲
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