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  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 监控器,封装:16-SOIC
  • 技术参数:IC SUPERVISOR 1 CHANNEL 16SOIC
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ADM691AR 技术参数详情:

ADM691AR是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款高集成度、单通道电源监控与备用电池切换电路。该器件采用16引脚SOIC封装,其核心设计围绕一个精密电压监控器和一个低损耗的电池切换电路展开。它持续监测主电源电压,当电压低于预设的4.65V阈值时,会启动一系列逻辑控制,确保系统在电源异常或主电源失效时能够平稳切换到备用电池供电,从而维持关键电路或存储器的数据不丢失。

该芯片的功能特点突出其可靠性与灵活性。其内部集成的电压监控器具有高精度阈值,确保复位信号的准确性。它提供开漏极或推挽式两种复位输出选项,复位信号可配置为高有效或低有效,复位超时周期最小为35ms,为微处理器或微控制器提供了可靠的启动延时。同时,其备用电池切换功能实现了从主电源到备用电池的无缝、低损耗切换,切换过程平滑,有效防止了电压毛刺对负载电路的冲击。这些特性使其成为构建高可靠性电源系统的关键组件。

在接口与参数方面,ADM691AR设计简洁高效。它仅需监测一路主电源电压,工作温度范围覆盖工业级的-40°C至85°C,适合严苛的环境。其16-SOIC的表面贴装封装便于集成到现代电子设备中。尽管该器件目前已处于停产状态,但在许多存量系统和需要高可靠性设计的领域,通过专业的ADI一级代理商渠道,工程师依然可以获得可靠的技术支持和供应保障,用于维护或特定新设计。

该芯片的典型应用场景广泛,尤其适用于那些对系统连续运行和数据完整性有严格要求的领域。例如,在工业控制系统中,它可以监控PLC或控制器的核心电源,防止电压跌落导致程序跑飞;在通信基础设施设备中,用于保障配置信息和状态数据的存储安全;在医疗仪器和测试测量设备中,确保关键参数和校准数据在主电源中断时不丢失。其稳健的监控与切换机制,为各类嵌入式系统和电子设备提供了至关重要的电源安全保障。

  • 型号:ADM691AR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:16-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 监控器
  • 描述:IC SUPERVISOR 1 CHANNEL 16SOIC
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 类型:备用电池电路
  • 受监控电压数:1
  • 电压 - 阈值:4.65V
  • 输出:开漏极,推挽式
  • 复位:高有效/低有效
  • 复位超时:35ms 最小值
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:16-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
  • 供应商器件封装:16-SOIC
  • ADM691AR优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

ADM691AR是ADI(Analog Devices)生产的一款单通道电源监控与备用电池管理集成电路,采用16-SOIC封装。该器件核心功能是精确监控一路主电源电压,其阈值设定为4.65V,并在电压低于此阈值时,产生一个最小35ms的超时复位信号(可配置为高有效或低有效,输出方式为开漏或推挽),同时自动、无缝地将负载切换至备用电池供电。

其设计旨在为微处理器系统、数据存储电路及其他关键负载提供极高的电源可靠性保障。通过集成电压监控与电池切换功能于一体,它简化了系统设计,确保了在主电源故障或波动时,系统能够有序复位或由备用电源维持运行,从而防止数据丢失或逻辑错误。该器件工作温度范围为-40°C至85°C,适用于要求严苛的工业与环境应用。

ADSP-2188M:16位、75 MIPS、2.75v,2个串行端口,主机端口,256 KB RAM
LTC2265-14:14 位、65Msps、低功率、双通道 ADC
ADSP-21594:高达1 GHz的双核SHARC+ DSP(带2个640KB L1)、2048KB共用的L2 SRAM
AD8651:50 MHz、精密、低失真、低噪声CMOS运算放大器
LTC3200:低噪声、稳压充电泵 DC/DC 转换器
HMC650:固定、12 mil通线无源衰减器芯片,DC - 50 GHz
OP491:微功耗、单电源、轨到轨输入/输出运算放大器
HMC8142:集成功率检波器的81 GHz至86 GHz E频段功率放大器
LTC6259:1.3MHz、20μA、高电源效率、轨至轨 I/O 运放
LTC1255:双通道、24V 高压侧 MOSFET 驱动器
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