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  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频放大器,封装:8-LFCSP-UD(2x2)
  • 技术参数:IC RF AMP 5.9GHZ-8.5GHZ 8LFCSP
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ADL5721ACPZN-R7 技术参数详情:

作为一款面向毫米波前端应用的高性能射频放大器,ADL5721ACPZN-R7采用了先进的硅锗(SiGe)工艺,其核心架构旨在为5.9GHz至8.5GHz的宽频带提供卓越的线性度和低噪声性能。该器件集成了优化的匹配网络和偏置电路,能够在紧凑的封装内实现稳定的单电源工作,显著简化了系统设计复杂度,尤其适合对空间和功耗敏感的高频应用场景。

该放大器在宽频带内提供高达25dB的增益,同时保持了极低的噪声系数,典型值仅为1.7dB,这对于提升接收机链路的整体灵敏度至关重要。其输出1dB压缩点(P1dB)为-10dBm,确保了在接收或小信号放大场景下具有良好的线性动态范围。器件仅需单路3.3V电源供电,典型工作电流为74mA,实现了性能与功耗的出色平衡。其表面贴装型的8引脚LFCSP封装不仅提供了优异的热性能和射频屏蔽,也便于自动化生产,用户可以通过ADI一级代理商获取完整的技术支持和供应链服务。

在接口与参数方面,ADL5721ACPZN-R7设计为50欧姆输入输出阻抗,便于与标准射频组件无缝连接。其工作温度范围覆盖工业级标准,确保了在严苛环境下的可靠性。评估板和应用笔记提供了详细的布局指南,以帮助设计者最大限度地发挥其射频性能,避免由寄生效应引起的性能劣化。

该芯片典型的应用场景包括点对点无线通信、卫星通信终端、微波无线电以及测试测量设备中的驱动放大或低噪声放大级。它也非常适合作为5G基础设施、雷达传感器以及电子战系统中高频前端的关键增益模块。其宽频带特性为多频段或可调谐系统设计提供了高度的灵活性,是工程师构建高性能毫米波系统的可靠选择。

  • 型号:ADL5721ACPZN-R7
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:8-LFCSP-UD(2x2)
  • 类目:射频和无线 > 射频放大器
  • 描述:IC RF AMP 5.9GHZ-8.5GHZ 8LFCSP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 频率:5.9GHz ~ 8.5GHz
  • P1dB:-10dBm
  • 增益:25dB
  • 噪声系数:1.7dB
  • 射频类型:-
  • 电压 - 供电:3.3V
  • 电流 - 供电:74mA
  • 测试频率:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-UFDFN 焊盘,CSP
  • 供应商器件封装:8-LFCSP-UD(2x2)
  • ADL5721ACPZN-R7优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

ADL5721ACPZN-R7是亚德诺半导体(ADI)推出的一款有源、表面贴装型射频放大器,专为5.9GHz至8.5GHz的毫米波频段设计。该器件在此宽频带内提供高达25dB的增益,同时将噪声系数控制在优异的1.7dB,并具备-10dBm的输出1dB压缩点,为接收链路提供了高增益与高线性的关键性能组合。

其采用紧凑的8引脚LFCSP封装,仅需单路3.3V电源供电,典型工作电流为74mA,实现了高性能与低功耗、小尺寸的平衡。这些特性使其成为点对点无线电、卫星通信、测试仪器及5G基础设施等应用中,作为驱动放大器或低噪声放大器的理想解决方案。

LTC1759:智能电池充电器
HMC570-DIE:GaAs MMIC I/Q接收机芯片,17 - 21 GHz
ADPA9002:GaAs pHEMT MMIC 单一正电源直流至 10GHz 功率放大器
LTC2295:双通道、14 位、10Msps、低功率 3V ADC
LT1057:双通道、JFET 输入精准高速运算放大器
ADSP-2186N:16位、80 MIPS、1.8v,2个串行端口,主机端口,40KB RAM
ADUM7442S:Aerospace 25 MBPS Quad-Channel Digital Isolator
AD7989-1:18位、100 kSPS PulSAR ADC,采用MSOP/LFCSP封装
LTC2470:具 10ppm/C 最大值精准基准的可选 208sps / 833ksps、16 位 ΔΣ ADC
ADG701L:CMOS、低压、2 Ω、单刀单掷常闭(NC)开关
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