- 制造厂商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
- 类别封装：射频和无线 > 射频开关，封装:20-TSSOP
- 技术参数：IC RF SWITCH 2XSPDT 2GHZ 20TSSOP
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ADG936BRU-R是亚德诺半导体（Analog Devices）推出的一款高性能射频开关集成电路，采用反射式拓扑结构，集成了两个独立的单刀双掷（SPDT）开关通道。其核心架构基于先进的CMOS工艺，实现了在极宽频带内（从直流到2GHz）的稳定射频信号路径切换。该设计确保了在切换过程中信号路径的阻抗匹配维持在50欧姆，这对于维持系统级的信号完整性、最小化反射至关重要。
该器件在1GHz测试频率下，能提供高达36dB的通道间隔离度，并保持极低的插入损耗，典型值仅为0.9dB。这意味着信号在通过开关时衰减极小，功率损失被控制在最低水平。同时，其线性度表现优异，输入三阶交调点（IIP3）达到32dBm，1dB压缩点（P1dB）为16dBm，使其能够处理较高功率的射频信号而不会引入明显的非线性失真，这对于现代通信系统中要求高动态范围的场景尤为重要。
在接口与参数方面，ADG936BRU-R采用单电源供电，电压范围宽至1.65V至2.75V，兼容多种低电压逻辑电平，便于与数字控制单元直接连接。其工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至85°C，确保了在严苛环境下的可靠性。器件采用紧凑的20引脚TSSOP封装，有效节省了电路板空间。用户可以通过ADI授权代理获取完整的技术支持与供应链服务。
凭借其宽频带、高隔离、低损耗和出色的线性度，该芯片非常适合应用于需要高频信号路由与切换的领域。典型应用场景包括蜂窝通信基础设施（如基站中的天线调谐与分集切换）、测试与测量设备中的信号路径选择、以及各类无线收发系统中的发射/接收（T/R）切换。其稳健的性能使其成为射频前端设计中一个可靠的关键组件。
- 型号:ADG936BRU-R
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:20-TSSOP
- 类目:射频和无线 > 射频开关
- 描述:IC RF SWITCH 2XSPDT 2GHZ 20TSSOP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 射频类型:通用
- 拓扑:反射
- 电路:2 x SPDT
- 频率范围:0Hz ~ 2GHz
- 隔离:36dB
- 插损:0.9dB
- 测试频率:1GHz
- P1dB:16dBm
- IIP3:32dBm
- 特性:-
- 阻抗:50 欧姆
- 电压 - 供电:1.65V ~ 2.75V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:20-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
- 供应商器件封装:20-TSSOP
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ADG936BRU-R是一款由亚德诺半导体（ADI）设计的通用型射频开关，采用20-TSSOP封装，集成了两个SPDT反射式开关。该器件支持从直流（0Hz）到2GHz的宽频率范围工作，在1GHz下具备36dB的高隔离度和仅0.9dB的低插入损耗，有效保证了信号路径切换的纯净度与效率。
其线性性能突出，IIP3达32dBm，P1dB为16dBm，能够处理较高功率的射频信号。器件采用1.65V至2.75V单电源供电，工作温度范围为-40°C至85°C，阻抗为标准的50欧姆，易于集成到各类射频系统中，适用于需要可靠信号路由的通信与测试应用。
