
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:射频和无线 > 射频开关,封装:20-LFCSP(4x4)
- 技术参数:IC RF SWITCH 2XSPDT 2GHZ 20LFCSP
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ADG936BCPZ-RL是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款高性能、宽带、吸收式射频开关。该器件采用先进的CMOS工艺和创新的吸收式拓扑结构,在关断状态下,信号路径被有效终止于内部匹配的50欧姆负载,而非呈现高阻抗反射状态。这种设计从根本上减少了信号反射和驻波,显著提升了系统在切换状态下的稳定性和线性度,尤其适用于对信号完整性要求苛刻的复杂射频前端架构。
其核心功能集成了两个独立的单刀双掷(SPDT)开关,可通过单线路控制逻辑实现高效切换,简化了系统控制设计。该开关在直流至2GHz的极宽频率范围内均能保持卓越性能,在1GHz测试频率下,其插入损耗典型值低至0.9dB,确保了信号传输的高效率;同时提供高达36dB的出色隔离度,有效降低了通道间的串扰。其线性度指标同样突出,1dB压缩点(P1dB)为+16dBm,三阶交调截点(IIP3)高达+32dBm,使其能够处理相对较高的射频功率,并在多载波或调制信号应用中维持优异的信号保真度。
在接口与电气参数方面,ADG936BCPZ-RL采用标准的50欧姆输入/输出阻抗,便于与常见的射频系统无缝集成。其供电电压范围宽达1.65V至2.75V,兼容低电压数字逻辑,并有助于降低整体系统功耗。该芯片工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至85°C,确保了在恶劣环境下的可靠性。其采用紧凑的20引脚WFQFN(CSP)封装,节省了宝贵的电路板空间,非常适合高密度集成设计。对于需要稳定供货和技术支持的客户,通过正规的ADI一级代理商进行采购是保障项目顺利进行的重要环节。
基于其宽带、高隔离、低插损和高线性度的特性,这款开关非常适合应用于要求严苛的无线通信基础设施,如蜂窝基站(4G/LTE、5G)中的天线调谐、分集接收和发射/接收切换模块。此外,在测试与测量设备、军用电子系统、卫星通信终端以及各类需要高性能信号路由的射频仪器中,它都能作为关键元件,提升系统整体的动态范围和信号质量。
- 型号:ADG936BCPZ-RL
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:20-LFCSP(4x4)
- 类目:射频和无线 > 射频开关
- 描述:IC RF SWITCH 2XSPDT 2GHZ 20LFCSP
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 射频类型:通用
- 拓扑:吸收
- 电路:2 x SPDT
- 频率范围:0Hz ~ 2GHz
- 隔离:36dB
- 插损:0.9dB
- 测试频率:1GHz
- P1dB:16dBm
- IIP3:32dBm
- 特性:单线路控制
- 阻抗:50 欧姆
- 电压 - 供电:1.65V ~ 2.75V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:20-WFQFN 焊盘,CSP
- 供应商器件封装:20-LFCSP(4x4)
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ADG936BCPZ-RL是ADI公司生产的一款宽带吸收式射频开关,集成了两个SPDT开关通道。该器件采用吸收式拓扑,在关断时将信号路径终止于匹配负载,而非反射,从而在0Hz至2GHz的全工作频带内显著改善系统的驻波比和稳定性。
其在1GHz下的关键性能参数优异,包括仅0.9dB的低插入损耗、高达36dB的通道隔离度以及+32dBm的高输入三阶交调截点(IIP3),确保了卓越的信号传输效率和线性度。其工作电压范围为1.65V至2.75V,采用20引脚WFQFN紧凑封装,适用于空间受限、对射频性能要求高的无线基础设施和测试测量应用。



















