- 制造厂商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
- 类别封装：射频和无线 > 射频开关，封装:8-MSOP
- 技术参数：IC RF SWITCH SPDT 2GHZ 8MSOP
- （丰富的AD公司产品，AD芯片采购平台）
- （提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格）
ADG919BRM-REEL是亚德诺半导体（Analog Devices）推出的一款高性能单刀双掷（SPDT）射频开关集成电路。该器件采用反射式拓扑结构，其核心设计旨在实现从直流到2GHz频率范围内卓越的信号路径切换性能。其架构基于先进的CMOS工艺，内部集成了优化的开关晶体管与驱动控制逻辑，能够在极低的供电电压下稳定工作，同时确保信号路径的高线性度与低损耗，为射频前端的信号路由提供了高度可靠的解决方案。
该芯片在1GHz测试频率下，具备0.8dB的低插入损耗与37dB的高隔离度，这确保了信号在通过开关时能量损失极小，同时有效抑制了通道间的串扰。其17dBm的1dB压缩点（P1dB）与36dBm的三阶交调截点（IIP3）指标，赋予了器件出色的线性度与功率处理能力，使其能够应对相对较高的射频功率水平而不会产生显著的失真，这对于维持通信系统的信号质量至关重要。其工作电压范围宽达1.65V至2.75V，兼容多种低电压数字控制系统，并且能在-40°C至85°C的工业级温度范围内保持参数稳定。
在接口与封装方面，ADG919BRM-REEL采用紧凑的8引脚MSOP封装，节省了宝贵的电路板空间，非常适合高密度集成应用。其控制接口简单，通常通过单个数字控制引脚（如EN或SELECT）即可实现两个射频端口的切换，简化了系统设计。对于需要稳定供应渠道的客户，可以通过授权的ADI芯片代理获取相关技术支持和库存信息。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其在仍有库存或特定遗留系统中具有应用价值。
该射频开关广泛应用于需要高频信号切换的场合，例如在无线通信设备（如蜂窝基站、WLAN模块）中用于天线分集切换、发射/接收（T/R）切换或频段选择。此外，在测试与测量仪器、卫星通信终端以及各类便携式射频设备中，它也能作为关键的路由元件，实现信号源、放大器或滤波器在不同路径间的灵活配置，提升系统的整体性能与灵活性。
- 型号:ADG919BRM-REEL
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:8-MSOP
- 类目:射频和无线 > 射频开关
- 描述:IC RF SWITCH SPDT 2GHZ 8MSOP
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 射频类型:通用
- 拓扑:反射
- 电路:SPDT
- 频率范围:0Hz ~ 2GHz
- 隔离:37dB
- 插损:0.8dB
- 测试频率:1GHz
- P1dB:17dBm
- IIP3:36dBm
- 特性:-
- 阻抗:-
- 电压 - 供电:1.65V ~ 2.75V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
- 供应商器件封装:8-MSOP
- ADG919BRM-REEL优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。
ADG919BRM-REEL是一款由Analog Devices生产的SPDT反射式射频开关IC。该器件覆盖直流至2GHz的宽频率范围，在1GHz测试频率下，其关键射频性能指标突出，包括0.8dB的低插入损耗和37dB的高通道隔离度，能有效保证信号传输效率并抑制干扰。
器件具备优异的线性度特性，其1dB压缩点（P1dB）为17dBm，三阶交调截点（IIP3）高达36dBm，确保了在高功率信号下的低失真性能。它采用1.65V至2.75V的单电源供电，兼容低电压逻辑，并采用节省空间的8-MSOP封装，适用于对尺寸和功耗有严格要求的紧凑型射频系统设计。
