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  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器,封装:8-MSOP
  • 技术参数:IC INST AMP 1 CIRCUIT 8MSOP
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AD8227ARMZ 技术参数详情:

AD8227ARMZ是ADI(Analog Devices)推出的一款精密仪表放大器,采用单电源供电设计,其核心架构基于经典的三运放仪表放大器拓扑,并针对低功耗和宽电源电压范围进行了优化。该器件集成了高精度匹配的电阻网络,确保在单增益设置下也能实现出色的共模抑制比(CMRR)和增益精度,用户仅需一个外部电阻即可在1至1000的范围内精确设定增益,极大简化了系统设计。

该芯片的功能特点突出体现在其宽电源电压范围(2.2V至36V单电源或±1.5V至±18V双电源)低静态电流(典型值350A)的完美结合上,使其既能适应工业现场的严苛供电环境,又非常适合电池供电的便携式设备。其满摆幅输出特性确保了在低电压供电时仍能获得最大的动态范围。此外,输入偏置电流低至20nA,输入失调电压为200V,这些参数共同保障了信号放大环节的高精度与低误差,尤其适合处理来自高阻抗传感器或微弱信号的场景。

在接口与关键参数方面,AD8227ARMZ采用8引脚MSOP封装,支持表面贴装,工作温度范围覆盖-40°C至125°C的工业级标准。其-3dB带宽为250kHz,压摆率为0.8V/s,输出电流能力达13mA,能够直接驱动一定的负载。这些参数使其在信号链中扮演着可靠且灵活的前端调理角色。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过专业的ADI芯片代理获取该产品及全面的技术支持。

基于其高精度、低功耗和宽压工作的特性,AD8227ARMZ广泛应用于工业过程控制、医疗仪器、便携式数据采集系统、热电偶及桥式传感器信号调理等领域。它能够有效放大并抑制在嘈杂工业环境中传感器信号所伴随的共模噪声,是构建高可靠性模拟前端(AFE)的理想选择。

  • 型号:AD8227ARMZ
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:8-MSOP
  • 类目:集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
  • 描述:IC INST AMP 1 CIRCUIT 8MSOP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 放大器类型:仪表
  • 电路数:1
  • 输出类型:满摆幅
  • 压摆率:0.8V/s
  • 增益带宽积:-
  • -3db 带宽:250 kHz
  • 电流 - 输入偏置:20 nA
  • 电压 - 输入补偿:200 V
  • 电流 - 供电:350A
  • 电流 - 输出/通道:13 mA
  • 电压 - 跨度(最小值):2.2 V
  • 电压 - 跨度(最大值):36 V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-MSOP
  • AD8227ARMZ优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

AD8227ARMZ是一款由ADI(亚德诺半导体)生产的精密单电源仪表放大器,采用8-MSOP封装。该器件设计用于在宽电源电压范围(2.2V至36V单电源或±1.5V至±18V双电源)内提供高精度的信号放大,同时保持极低的静态功耗(供电电流典型值350A),非常适合电池供电的便携式应用及工业系统。

其核心优势在于集成了匹配的增益设置电阻,用户通过单个外部电阻即可实现1至1000的增益编程,并保证优异的增益线性度。器件具备满摆幅输出、低输入偏置电流(20nA)和低输入失调电压(200V)等特点,确保了在放大微弱传感器信号时的高精度与稳定性。其250kHz的带宽和13mA的输出驱动能力,能满足多数数据采集和过程控制前端的需求。

AD7683:100 kSPS、16位 PulSAR ADC,采用µSOIC/QFN封装
ADV7202:10位原始视频速率编解码器,具有同步采样特性
ADG201S:航空航天用60 Ω四通道SPST开关
AD8354:1 MHz 至2.7 GHz RF增益模块
ADUM3224:3kV rms隔离式精密半桥驱动器,提供4A输出,可用于汽车应用
HMC851:提供可编程输出电压的28 Gbps XOR/XNOR,采用SMT封装
ADV7613:低功耗HDMI至LVDS显示桥
ADAQ23875:16位、15 MSPS μModule数据采集解决方案
ADSP-BF525C:低功耗Blackfin处理器,配有高级外设和嵌入式立体声音频编解码器
LTC4441:N 沟道 MOSFET 栅极驱动器
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