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  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 数据采集 > 数模转换器(DAC),封装:10-MSOP
  • 技术参数:IC DAC 14BIT 10-MSOP
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AD5644RBRMZ-3 技术参数详情:

AD5644RBRMZ-3是亚德诺半导体(ADI)旗下nanoDAC系列的一款高精度、四通道、14位数模转换器(DAC)。该器件采用先进的电阻串架构,结合精密的CMOS工艺,确保了在-40°C至105°C的宽工业温度范围内,仍能提供优异的线性度与稳定的电压输出。其核心设计旨在实现高集成度与小尺寸的平衡,采用紧凑的10引脚MSOP封装,非常适合空间受限的精密模拟输出应用。

该DAC集成了四个独立的14位DAC通道,每个通道均配有片内输出缓冲放大器,能够直接驱动负载,提供缓冲电压输出。其建立时间典型值为5s,支持快速稳定的电压建立,这对于需要动态响应的控制系统至关重要。器件支持外部或内部参考电压选项,内部集成一个低漂移带隙基准源,为用户提供了灵活的系统设计选择,有助于简化外围电路并降低整体BOM成本。在数据接口方面,它兼容高速SPI和DSP接口,时钟速率最高可达50 MHz,便于与各种微控制器或数字处理器进行高效通信。

在电气性能上,AD5644RBRMZ-3在2.7V至3.6V的单电源电压下工作,模拟与数字电源域相同,简化了供电设计。其积分非线性(INL)最大值为±2 LSB,微分非线性(DNL)最大值为±0.5 LSB,这保证了在整个输出范围内卓越的单调性与精度。对于需要可靠元器件供应的项目,可以通过授权的ADI代理商获取正品器件与技术支援。这些参数共同构成了其在精密工业应用中的坚实基础。

基于其多通道、高精度、小封装及宽温工作的特点,AD5644RBRMZ-3非常适合应用于工业自动化与过程控制领域,例如可编程逻辑控制器(PLC)的模拟输出模块、电机控制与伺服驱动器的偏置设定。此外,在基站功率放大器偏置控制、医疗设备中的精密校准源以及测试与测量设备的可编程电压源等场景中,它也能发挥关键作用。其稳健的设计使其成为要求长期稳定性和可靠性的关键系统的理想选择。

  • 型号:AD5644RBRMZ-3
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:10-MSOP
  • 类目:集成电路(IC) > 数据采集 > 数模转换器(DAC)
  • 描述:IC DAC 14BIT 10-MSOP
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 位数:14
  • 数模转换器数:4
  • 建立时间:5s
  • 输出类型:Voltage - Buffered
  • 差分输出:无
  • 数据接口:SPI,DSP
  • 参考类型:外部,内部
  • 电压 - 供电,模拟:2.7V ~ 3.6V
  • 电压 - 供电,数字:2.7V ~ 3.6V
  • INL/DNL (LSB):±2,±0.5(最大)
  • 架构:电阻串 DAC
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C
  • 封装/外壳:10-TFSOP,10-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
  • 供应商器件封装:10-MSOP
  • 安装类型:表面贴装型
  • 等级:-
  • 资质:-
  • AD5644RBRMZ-3优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

AD5644RBRMZ-3是ADI公司推出的一款四通道、14位分辨率、电压输出型数模转换器,隶属于高集成度的nanoDAC产品系列。该器件采用10-MSOP紧凑封装,在单电源2.7V至3.6V下工作,支持-40°C至105°C的宽温度范围,满足严苛的工业环境要求。

其核心特性包括5s的快速建立时间、支持外部或内部参考电压选项以及高速SPI/DSP兼容接口。每个DAC通道均集成输出缓冲器,可提供稳定的缓冲电压输出。优异的线性度指标(INL ±2 LSB, DNL ±0.5 LSB)确保了高精度的模拟信号生成。

ADAR3001S:27.5 GHz - 31 GHz,4波束和4元件,Ka段波束合成器
AD586:高精度5 V基准电压源
AD9655:双通道、16位、125 MSPS串行LVDS、1.8 V模数转换器
LT3799-1:具备有源 PFC 功能的离线隔离型反激式 LED 控制器
OP275:双极性/JFET双通道音频运算放大器
AD7533:CMOS、低成本、10位乘法DAC
AD9135:双通道、11位、高动态范围、2.8 GSPS、TXDAC+数模转换器
AD5685R:四通道、14位 nanoDAC+ ,内置2 PPM/°C片内基准电压源和SPI接口
ADM6711:采用4引脚SC70封装的微处理器监控电路
ADM7170:6.5 V、500 mA、超低噪声、高 PSRR、快速瞬态响应 CMOS LDO
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