LTC4413 包含两个单片式理想二极管，各能够从 2.5V 至 5.5V 的输入电压提供高达 2.6A。每个理想二极管采用一个 100mΩ P 沟道 MOSFET，用于独立地把 INA 连接至 OUTA，以及将 INB 连接至 OUTB。在标准的正向操作期间，这些二极管两端的电压降均被调节为低至 28mV。在二极管电流高达 1A 时，静态电流将小于 40μA。如果任一个输出电压超过其各自的输入电压，则 MOSFET 被关断，且有少于 1μA 的反向电流从 OUT 流至 IN。每个 MOSFET 中的最大正向电流被限制在一个恒定值 2.6A，而内部热限制电路负责在故障条件下对器件实施保护。

两个高态有效控制引脚可独立地关断 LTC4413 内含的两个理想二极管，从而控制操作模式 (如表 1 所述)。当选定通道被反向偏压，或者 LTC4413 被置于低功率待机状态时，一个状态信号将利用一个低电压来指示该条件。

一个 9μA 漏极开路 STAT 引脚用于指示传导状态。当通过一个 470k 电阻器终接至一个正电源时，STAT 引脚可用来指示选定的二极管在高电压处于传导状态。 该信号可用来驱动一个辅助 P 沟道 MOSFET 电源开关，以在 LTC4413 不传导正向电流时控制第三个交流电源。

LTC4413 采用 10 引脚 DFN 封装。

• 手持式产品中的电池和墙上适配器二极管 “或”
• 后备电池二极管“或”
• 电源转换
• USB 外设
• 不可间断的电源
  
  

• 两通道理想二极管 “或” 或负载均分
• “或” 二极管的低损耗型替代方案
• 低正向接通电阻 (在 3.6V 电压条件下的最大值为 100mΩ)
• 低反向漏电流 (最大值为 1μA)
• 小的已调正向电压 (典型值为 28mV)
• 2.5V 至 5.5V 工作电压范围
• 2.6A 最大正向电流
• 内部电流限制和热保护
• 缓慢接通 / 关断用于防止器件遭受由电感性源阻抗感生的电压尖峰的损坏
• 超低静态电流消耗 (LTC4413-1 的低功率替代方案)
• 用于在选定通道导通时发出指示信号的状态输出
• 可编程通道接通 / 关断操作
• 扁平 (高度仅为 0.75mm) 10 引脚 3mm x 3mm DFN 封装
  
  

LTC4413EDD#PBF，封装：10-Lead DFN (3mm x 3mm w/ EP)，包装形式及数量：管装，121，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：2.89（100-499个）；2.48（1000+个）

LTC4413EDD#TRPBF，封装：10-Lead DFN (3mm x 3mm w/ EP)，包装形式及数量：卷带，2500，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：2.89（100-499个）；2.48（1000+个）

DC839A：LTC4413EDD | 双通道理想二极管-三通道电源路径控制器，VIN = 2.5至5.5V，VOUT = 2.5至5.5V（最大2.6A）

DC839A：采用3mm × 3mm DFN封装的LTC4413双通道2.6A、2.5V至5.5V、理想二极管演示板。