LTC1155双通道高端栅极驱动器允许在高端开关应用中使用低成本N通道FET。内部电荷泵将栅极电压提升至正电源轨以上，无需外部元件即可全面增强N通道MOSFET。该器件以微功耗运行，提供8μA待机电流和85μA工作电流，用于几乎所有系统都能够实现高效率。

片内集成了过流检测功能，可在发生短路时自动关断。可增加与电流检测串联的延时，防止在电容和白炽灯等高浪涌负载上发生误触发。

LTC1155采用4.5V至18V电源工作，可安全驱动几乎所有FET的栅极。LTC1155非常适合低电压（电池供电）应用，特别是需要以微功耗“休眠”工作的应用。

LTC1155提供8引脚PDIP和8引脚SO两种封装。

应用

• 笔记本电脑电源总线切换
• SCSI 终端电源转换
• 蜂窝电话电源管理
• 替代 P 沟道开关
• 继电器和螺线管驱动器
• 低频半 H 桥
• 电机转速和转矩控制

• 全面强化了 N 沟道功率 MOSFET
• 8μA 待机电流
• 85μA 导通电流
• 短路保护
• 宽电源范围：4.5V 至 18V

• 受控接通和关断时间
• 无外部充电泵组件
• 可替代 P 沟道高端 MOSFET
• 可兼容标准逻辑器件系列
• 采用 8 引脚 SO 封装

LTC1155CN8#PBF，封装：8-Lead PDIP (Narrow 0.3 Inch)，包装形式及数量：管装，50，工作温度：0 to 70C，AD官网报价：3.75（100-499个）；3.63（1000+个）

LTC1155CS8#PBF，封装：8-Lead SOIC (Narrow 0.15 Inch)，包装形式及数量：管装，100，工作温度：0 to 70C，AD官网报价：4.13（100-499个）；3.95（1000+个）

LTC1155CS8#TRPBF，封装：8-Lead SOIC (Narrow 0.15 Inch)，包装形式及数量：卷带，2500，工作温度：0 to 70C，AD官网报价：4.13（100-499个）；3.95（1000+个）

LTC1155IN8#PBF，封装：8-Lead PDIP (Narrow 0.3 Inch)，包装形式及数量：管装，50，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：4.88（100-499个）；4.63（1000+个）

LTC1155IS8#PBF，封装：8-Lead SOIC (Narrow 0.15 Inch)，包装形式及数量：管装，100，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：5.31（100-499个）；5.08（1000+个）

LTC1155IS8#TRPBF，封装：8-Lead SOIC (Narrow 0.15 Inch)，包装形式及数量：卷带，2500，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：5.31（100-499个）；5.08（1000+个）