HMC1063LP3E是一款紧凑型I/Q MMIC混频器，采用“无铅”SMT封装，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。 该混频器采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件，均采用GaAs Schottky二极管工艺制造。 低频正交混合器件用于产生1,000 MHz LSB IF输出。 该产品为混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。 HMC1063LP3E无需线焊，可以使用表贴制造技术。

应用

• 点对点和点对多点无线电
• 军用雷达、EW和ELINT
• 卫星通信
• 传感器

• 低LO功率： 10 dBm
• 宽IF带宽： DC - 3 GHz
• 镜像抑制： 21 dBc
• LO/RF隔离： 40 dB

• 高输入IP3： 17 dBm
• 16引脚3x3 mm SMT封装： 9 mm²

HMC1063LP3E，封装：16-Lead QFN (3mm x 3mm w/ EP)，包装形式及数量：Cut Tape,500，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：13.01（100-499个）

HMC1063LP3ETR，封装：16-Lead QFN (3mm x 3mm w/ EP)，包装形式及数量：卷带，500，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：13.01（100-499个）

EVAL-HMC1063LP3：HMC1063LP3 评估板

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