ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445系列XFET基准电压源具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正专利技术和XFET（外加离子注入场效应管）技术，可以使ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445电压随温度变化的非线性度降至低点。

XFET基准电压源的噪声性能优于嵌入式齐纳基准电压源，且所需的电源电压裕量较小(500 mV)。这种特性组合使ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445系列非常适合高端数据采集系统、光学网络和医疗应用中的精密信号转换。

ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445系列的拉电流输出高达10 mA，灌电流能力最大为-5 mA。它还具有调整引脚，可以在0.5%范围内调整输出电压，而性能则不受影响。

ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445系列采用8引脚MSOP和窄体SOIC封装，提供两种电气等级。所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。

应用

• 超低噪声（0.1 Hz至10 Hz）
  ADR440：1 μV p-p
  ADR441：1.2 μV p-p
  ADR443：1.4 μV p-p
  ADR444：1.8 μV p-p
  ADR445：2.25 μV p-p
• 低压差工作：500 mV
• 出色的温度系数
  A 级: 10 ppm/°C
  B 级: 3 ppm/°C

• 输入范围: (VOUT + 500 mV) 至 18 V
• 高输出源电流和吸电流，分别为
  +10 mA 和 −5 mA
• 宽温度范围：−40°C至+125°C

ADR440ARMZ，封装：8-Lead MSOP，包装形式及数量：管装，50，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：4.03（100-499个）；3.73（1000+个）

ADR440ARMZ-REEL7，封装：8-Lead MSOP，包装形式及数量：卷带，1000，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：3.73（1000+个）

ADR440ARZ，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：管装，98，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：3.32（100-499个）；3.06（1000+个）

ADR440ARZ-REEL7，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：卷带，1000，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：3.06（1000+个）

ADR440BRZ，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：管装，98，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：4.86（100-499个）；4.3（1000+个）

ADR440BRZ-REEL7，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：卷带，1000，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：4.3（1000+个）