ADR42x系列为超精密、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性，采用SOIC和MSOP封装。

利用温度漂移曲率校正专利技术和XFET技术，可以使电压随温度变化的非线性度降至低点。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。与嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，还能以更低的功耗和更小的电源裕量工作。

ADR42x具有出色的噪声性能、稳定性和精度，适合光纤网络和医疗设备等精密转换应用。此外还可利用其调整引脚，在±0.5%范围内调整输出电压，其它性能则不受影响。ADR42x系列分为两种电气等级，额定温度范围为−40°C至+125°C扩展工业温度范围，提供8引脚SOIC封装或8引脚MSOP封装（后者比前者小30%）。

应用

• 精密数据采集系统
• 高分辨率转换器
• 电池供电仪器仪表
• 便携式医疗仪器
• 工业过程控制系统
• 精密仪器
• 光纤网络控制电路

• 低噪声（0.1 Hz至10 Hz）
• ADR420: 1.75 μV 峰峰值
  ADR421: 1.75 μV 峰峰值
  ADR423: 2.0 μV峰峰值
  ADR425: 3.4 μV峰峰值
• 低温度系数：3 ppm/°C
• 长期稳定性：50 ppm/1000小时
• 负载调整率：70 ppm/mA
• 电压调整率：35 ppm/V
• 低迟滞：40 ppm（典型值）
• 宽工作电压范围
  ADR420: 4 V至18 V
  ADR421: 4.5 V 至 18 V
  ADR423: 5 V 至 18 V
  ADR425: 7 V 至18 V
• 静态电流：0.5 mA（最大值）
• 高输出电流：10 mA
• 宽温度范围：−40°C至+125°C

ADR423ARMZ，封装：8-Lead MSOP，包装形式及数量：管装，50，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：3.51（100-499个）；3.17（1000+个）

ADR423ARMZ-REEL7，封装：8-Lead MSOP，包装形式及数量：卷带，1000，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：3.51（100-499个）；3.17（1000+个）

ADR423ARZ，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：管装，98，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：3.51（100-499个）；3.17（1000+个）

ADR423ARZ-REEL7，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：卷带，1000，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：3.51（100-499个）；3.17（1000+个）

ADR423BRZ，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：管装，98，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：5.8（100-499个）；4.87（1000+个）

ADR423BRZ-REEL7，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：卷带，1000，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：5.8（100-499个）；4.87（1000+个）