ADR42x系列为超精密、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性，采用SOIC和MSOP封装。

利用温度漂移曲率校正专利技术和XFET技术，可以使电压随温度变化的非线性度降至较小。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。与嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，还能以更低的功耗和更小的电源裕量工作。

ADR42x具有出色的噪声性能、稳定性和精度，非常适合光纤网络和医疗设备等精密转换应用。此外还可利用其调整引脚，在±0.5%范围内调整输出电压，其它性能则不受影响。ADR42x系列分为两种电气等级，额定温度范围为−40°C至+125°C扩展工业温度范围，提供8引脚SOIC封装或8引脚MSOP封装（后者比前者小30%）。

应用

• 精密数据采集系统
• 高分辨率转换器
• 电池供电仪器仪表
• 便携式医疗仪器
• 工业过程控制系统
• 精密仪器
• 光纤网络控制电路

• 低噪声（0.1 Hz至10 Hz）
  • ADR420: 1.75 μV峰峰值
  • ADR421: 1.75 μV 峰峰值
  • ADR423: 2.0 μV 峰峰值
  • ADR425: 3.4 μV 峰峰值
• 低温度系数：3 ppm/°C
• 长期稳定性：50 ppm/1000小时
• 负载调整率：70 ppm/mA
• 电压调整率：35 ppm/V
• 低迟滞：40 ppm（典型值）
• 宽工作电压范围
  • ADR420: 4 V至18 V
  • ADR421: 4.5 V 至18 V
  • ADR423: 5 V 至 18 V
  • ADR425: 7 V 至18 V
• 静态电流：0.5 mA（最大值）
• 高输出电流：10 mA
• 宽温度范围：−40°C至+125°C

ADR421ARMZ，封装：8-Lead MSOP，包装形式及数量：管装，50，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：3.51（100-499个）；3.17（1000+个）

ADR421ARMZ-REEL7，封装：8-Lead MSOP，包装形式及数量：卷带，1000，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：3.51（100-499个）；3.17（1000+个）

ADR421ARZ，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：管装，98，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：3.51（100-499个）；3.17（1000+个）

ADR421ARZ-REEL7，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：卷带，1000，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：3.51（100-499个）；3.17（1000+个）

ADR421BRZ，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：管装，98，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：5.8（100-499个）；4.87（1000+个）

ADR421BRZ-REEL7，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：卷带，1000，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：5.8（100-499个）；4.87（1000+个）

EVAL-AD7606-4：AD7606-4 评估套件

EVAL-AD7606-4EDZ是针对AD7606-4的全功能评估套件。此评估板可单独使用，也可与转换器评估与开发板EVAL-CED1Z配合使用。配合转换器评估与开发板使用时，用户可利用提供的软件对ADC进行详尽的性能分析。此软件还包括技术笔记，说明评估板在单独使用以及配合转换器评估与开发板使用时的操作与设置。