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150V N快速高压侧保护的N沟MOSFET 100%的驱动器 占空比能力
(2026/11/13更新)

亚德诺半导体(AnalogDevices,Inc.,简称AD)凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出高速、高压侧N通道MOSFET驱动器LTC该装置高达15000/-1V的电源电压工作。内部充电泵全面加强外部N通道MOSFET因此,开关可以无限期地保持导通。LTC7000/-1的强大1Ω栅极驱动器可以在很短的转换时间内驱动大栅极电容MOSFET,非常适合高频开关和静态开关。

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LTC7000/-1可在3.5V至135V(150VPK)输入电源范围和3.5V至15V在偏置电压范围内工作。它通过监视一个和外部MOSFET电阻器两端的电压用于检测过流。当LTC7000/-1检测到开关电流超过某个预设水平时,则确定一个故障标记,并关断开关一段时间,而这段时间是由一个外部定时电容器设定。预定时间后,LTC重试操作自动执行7000/-1。

LTC7000/-1专门用于接收低电压数字输入信号,并快速驱动漏极电压。V高压侧N通道功率MOSFET而设计。13ns快速上升和下降时间(驱动10000pF负载)尽量减少开关损耗。LTC7000是全功能器件,具有比例LTC7000-1具有使能、过压闭锁、可调电流限制和电流监测等特点。

LTC7000采用MSOP-16封装,而LTC7000-1则采用MSOP-16(12)包装,后者去掉4个引脚提供高压间隔。该装置可提供三个工作温度等级,扩展和工业版本40°C至125°C,高温汽车版为40°C至150°C,军用等级为55°C至150°C。批购价为每片2.75美元。如需更多信息,请登录www.linear.com.cn/product/LTC7000。

照片描述:高压侧N通道:MOSFET栅极驱动器

性能概要:LTC7000/-1

宽VIN工作电压范围:3.5V至135V(150V绝对最大值)

占空比100%的能力

1Ω下拉、2Ω上拉提供快速连接和断开

短路保护

定时器自动重启

漏极开路故障标记

集成自举二极管

可调接通转换率

3.5V至15V偏置电源

可调电流限制(LTC7000)

电流监视器输出(LTC7000)

可调输入欠压和过压闭锁(LTC7000)

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