
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列,封装:8-SOIC
- 技术参数:TRANS 2NPN 40V 20MA 8-SOIC
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SSM2212RZ是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款高性能、精密匹配的双NPN晶体管阵列。该器件采用单片集成电路工艺,在同一硅片上制造两个独立的NPN晶体管,确保了晶体管对之间出色的参数匹配度和热耦合特性,这对于需要高精度差分信号处理或镜像电流源的应用至关重要。其核心架构设计旨在提供卓越的直流和射频性能,同时维持紧凑的封装尺寸。
该芯片的功能特点突出体现在其精密匹配性上,两个晶体管的VBE和hFE匹配度极高,显著降低了由器件失配引起的误差。其高达200MHz的过渡频率使其能够胜任中频放大和信号调理任务。同时,极低的集电极截止电流(典型值仅为500pA)和低至200mV的VCE(sat)饱和压降(测试条件为IC=1mA, IB=100A),共同保证了其在低功耗、高精度模拟电路中的高效能表现。宽泛的工作结温范围(-65°C至150°C)也确保了其在严苛环境下的可靠性。
在接口与参数方面,SSM2212RZ采用标准的8引脚SOIC表面贴装封装,便于集成到高密度PCB设计中。其最大集电极-发射极电压为40V,最大集电极电流为20mA,为设计提供了充足的安全裕量。这些参数使其成为构建精密电流镜、差分对输入级、有源负载以及对数放大器的理想选择。对于需要可靠供应链和本地技术支持的工程师,通过正规的ADI中国代理进行采购是确保产品正品与获取完整技术资料的有效途径。
基于上述特性,SSM2212RZ广泛应用于需要高匹配度和稳定性的专业音频设备、精密测量仪器、医疗电子以及通信系统的模拟前端。它特别适用于那些对温度漂移和长期稳定性有严格要求的场合,例如在仪表放大器的输入级或作为电压参考电路中的温度补偿元件,其一致的性能能够有效提升整个系统的精度和可靠性。
- 型号:SSM2212RZ
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
- 描述:TRANS 2NPN 40V 20MA 8-SOIC
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 晶体管类型:2 NPN(双)配对
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20mA
- 电压 - 集射极击穿(最大值):40V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):200mV @ 100A,1mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):500pA
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):-
- 功率 - 最大值:-
- 频率 - 跃迁:200MHz
- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SOIC
- SSM2212RZ优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。
SSM2212RZ是ADI(Analog Devices)生产的一款有源、表面贴装的双NPN晶体管阵列,采用8-SOIC封装。该器件集成了两个精密匹配的NPN晶体管,最大集电极电流为20mA,集射极击穿电压达40V,专为要求高一致性和热稳定性的应用而设计。
其核心优势在于极佳的参数匹配和低功耗特性,饱和压降低至200mV @ 1mA,集电极截止电流最大仅为500pA,同时具备200MHz的高过渡频率。这些特性使其成为构建精密电流镜、差分放大器、有源负载及高频信号调理电路的理想选择,工作结温范围覆盖-65°C至150°C,确保了广泛的适用性和环境鲁棒性。



















