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  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器,封装:8-SOIC
  • 技术参数:IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC
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OP42GSZ-R7 技术参数详情:

作为一款高性能的JFET输入运算放大器,OP42GSZ-R7采用了精密的模拟架构设计,其核心在于极低的输入偏置电流与出色的压摆率性能。该器件内部集成了经过优化的JFET输入级,这不仅确保了极低的输入电流噪声,还提供了极高的输入阻抗,使其能够精确处理来自高阻抗传感器或信号源的微弱信号,而不会引入显著的负载效应。这种架构为需要高精度信号调理的应用奠定了坚实的基础。

在功能表现上,该放大器展现出卓越的动态响应能力。高达50V/s的压摆率使其能够快速响应输入信号的突变,有效减少大信号处理时的失真,这对于高速数据采集、脉冲信号处理以及视频信号放大等场景至关重要。同时,10MHz的增益带宽积确保了在较宽频率范围内稳定的增益,兼顾了带宽与精度的平衡。其供电范围设计为±8V至±20V,为系统设计提供了灵活的电源选择,而5.1mA的静态电流则在性能与功耗之间取得了良好的折衷。

在接口与关键参数方面,OP42GSZ-R7提供了优异的直流精度,输入偏置电流低至130pA,输入失调电压为1.5mV,这使其在精密积分器、采样保持电路或光电二极管前置放大器中表现出色。其输出驱动能力达到33mA,能够直接驱动一定的容性或阻性负载。器件采用标准的8引脚SOIC封装,支持表面贴装工艺,工作温度范围覆盖工业级的-40°C至85°C,确保了在苛刻环境下的可靠性。对于需要可靠供应链的客户,可以通过正规的ADI芯片代理渠道获取原装产品与技术支援。

基于其高速、高输入阻抗与高精度的特性组合,该运算放大器非常适合应用于测试与测量设备中的前端信号调理、高速数据转换系统中的缓冲与驱动、有源滤波器设计以及医疗仪器中的生物电信号采集。它在需要同时处理高速与高精度信号的系统中扮演着关键角色,是工程师构建高性能模拟信号链路的可靠选择。

  • 型号:OP42GSZ-R7
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
  • 描述:IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 放大器类型:J-FET
  • 电路数:1
  • 输出类型:-
  • 压摆率:50V/s
  • 增益带宽积:10 MHz
  • -3db 带宽:-
  • 电流 - 输入偏置:130 pA
  • 电压 - 输入补偿:1.5 mV
  • 电流 - 供电:5.1mA
  • 电流 - 输出/通道:33 mA
  • 电压 - 跨度(最小值):16 V
  • 电压 - 跨度(最大值):40 V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • OP42GSZ-R7优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

OP42GSZ-R7是ADI(亚德诺半导体)推出的一款高性能JFET输入运算放大器,采用8-SOIC表面贴装封装。该器件核心优势在于其高达50V/s的压摆率10MHz的增益带宽积,能够出色地处理高速信号,同时保持低失真。

其JFET输入级提供了极低的输入偏置电流(130pA)和高输入阻抗,非常适合连接高阻抗源,如光电传感器或压电换能器。该放大器工作电压范围宽(±8V ~ 20V),输出电流达33mA,并支持-40°C至85°C的工业温度范围,确保了在精密测量和高速信号处理应用中的稳定性和可靠性。

LTC2254:14 位、105Msps、低功率 3V
LTC1232:微处理器监控电路
AD9250:14位、170 MSPS/250 MSPS、JESD204B、双通道模数转换器
ADP151:超低噪声 200 mA CMOS 线性稳压器
ADAU1361:集成PLL的立体声、低功耗、96 kHz、24位音频编解码器
LTC2916:具 27 种可选门限的电压监控器
ADPA1107:45.0 dBm (35 W)、4.8 GHz to 6.0 GHz、GaN 功率放大器
ADBMS6816:6通道多节电池电池监控器
ADF4356:集成VCO的6.8 GHz宽带频率合成器
LTC2313-12:采用 TSOT 封装的 12 位、2.5Msps、串行采样 ADC
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