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MAT01GHZ 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列,封装:TO-78-6
  • 技术参数:TRANS 2NPN 45V 25MA TO-78-6
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MAT01GHZ 技术参数详情:

MAT01GHZ是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款高性能双NPN晶体管阵列,采用经典的TO-78-6金属罐封装,专为需要精密匹配、低噪声和高频特性的模拟电路设计而优化。该器件集成了两个电学特性高度一致的NPN晶体管于同一硅片上,其核心价值在于卓越的配对性能,这为差分放大器、电流镜、对数放大器等精密电路提供了理想的基础元件,确保了优异的温度跟踪性和长期稳定性。

该芯片的功能特点突出体现在其宽频带与低噪声性能上。高达450MHz的过渡频率使其能够胜任中高频信号处理应用,而极低的集电极截止电流(最大400nA)和紧凑的封装有助于最小化系统噪声。其集电极-发射极饱和压降在1mA,10mA条件下典型值较低,配合最大45V的集射极击穿电压和25mA的集电极电流能力,为设计提供了充足的动态范围和鲁棒性。金属罐封装不仅提供了良好的机械强度和热性能,其固有的屏蔽特性也有助于减少外部电磁干扰。

在接口与参数方面,MAT01GHZ采用通孔安装方式,便于在原型验证和高可靠性系统中使用。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C,确保了在严苛工业与军事环境下的稳定运行。最大功耗为500mW,设计时需结合散热条件进行考量。对于需要可靠供应链和技术支持的工程师,可以通过ADI中国代理获取该器件的完整数据手册、应用笔记以及采购服务。

基于其精密匹配和优良的高频特性,MAT01GHZ非常适合应用于仪器仪表前端、高精度传感器接口、射频混频器以及低失真振荡器等场景。在需要构建高性能差分对或精密电流源的场合,其匹配的VBE和hFE参数能显著提升系统的共模抑制比和线性度,是追求极致模拟性能的设计师不可或缺的组件之一。

  • 型号:MAT01GHZ
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:TO-78-6
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
  • 描述:TRANS 2NPN 45V 25MA TO-78-6
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • 晶体管类型:2 NPN(双)配对
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):25mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):45V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):800mV @ 1mA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):400nA
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):-
  • 功率 - 最大值:500mW
  • 频率 - 跃迁:450MHz
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-78-6 金属罐
  • 供应商器件封装:TO-78-6
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MAT01GHZ是ADI(Analog Devices)生产的一款有源、高可靠性双NPN配对晶体管阵列。该器件设计用于要求晶体管对具有高度一致性的精密模拟电路,其核心优势在于两个NPN晶体管在电学参数上的精密匹配,这对于提升差分放大、电流镜像等电路的性能至关重要。

该晶体管阵列提供45V的集射极击穿电压和25mA的最大集电极电流,支持宽动态范围设计。其过渡频率达到450MHz,适用于中高频信号处理。此外,极低的集电极截止电流(最大400nA)和TO-78-6金属罐封装,共同保障了电路的低噪声运行和良好的环境稳定性,工作结温范围覆盖-55°C至150°C。

AD8203:高共模电压、单电源差动放大器
LTC4126-ADJ:带 1.2 V 降压型 DC/DC 转换器的无线锂离子充电器
ADUM2286:5 KV RMS双通道数字隔离器(默认低电平、1/1通道方向性)
ADL5801:高IP3、10 MHz 至6 GHz 有源混频器
LTM4662:双通道 15A 或单通道 30A DC/DC μModule 稳压器
AD8285:雷达接收路径AFE: 4通道、LNA/PGA/AAF、集成ADC
AD5674:具有2 ppm/°C基准电压源温度系数的16通道、12位nanoDAC+,SPI接口
ADG1207:低电容、8通道、±15 V/12 V iCMOS多路复用器
ADV7403:12位、集成式、多格式标清电视/高清电视视频解码器和RGB图形数字化仪
AD8123:具有可调线路均衡特性的三通道差分接收器
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