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LTC7801EFE#TRPBF 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > DC-DC 开关控制器,封装:24-TSSOP
  • 技术参数:IC REG CTRLR SYNC BUCK 24TSSOP
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LTC7801EFE#TRPBF 技术参数详情:

作为一款高性能同步降压开关控制器,LTC7801EFE#TRPBF采用了先进的电流模式控制架构,内置了高精度基准电压源和误差放大器。该架构确保了环路响应的快速与稳定,能够在宽输入电压范围内实现精确的电压调节。其设计核心在于集成了高性能的栅极驱动器,可直接驱动外部N沟道MOSFET,从而构建高效率的降压转换器,显著降低了传统方案中由二极管导通带来的损耗。

该器件具备多项突出的功能特性。其超宽的4V至140V输入电压范围,使其能够从容应对工业、汽车和电信领域中常见的严苛电压环境,例如直接从12V、24V或48V总线进行降压转换。开关频率可在50kHz至900kHz范围内通过单个电阻进行编程,为设计者提供了灵活性,以在效率、外部元件尺寸和EMI性能之间取得最佳平衡。此外,芯片集成了丰富的控制与保护功能,包括可编程软启动、电源良好指示、输出跟踪以及精确的限流保护,这些特性共同保障了系统在各种工况下的可靠性与安全性。

在接口与关键参数方面,LTC7801EFE#TRPBF采用紧凑的24引脚TSSOP封装,支持表面贴装工艺。其占空比最高可达100%,这使其在压差极小的应用场景中也能维持输出稳定。工作结温范围覆盖-40°C至125°C,确保了其在极端温度环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的设计项目,可以通过ADI中国代理获取该产品的技术支持和供货保障。

凭借其宽输入电压、高频率可调性及完备的保护机制,LTC7801EFE#TRPBF非常适合应用于对效率和可靠性要求极高的场合。典型应用包括工业自动化设备中的分布式电源总线转换、汽车电子中的信息娱乐系统和高级驾驶辅助系统(ADAS)电源、以及通信基础设施设备中的中间总线转换。它为解决高输入电压、高功率密度电源设计挑战提供了一个高效、紧凑且可靠的控制器解决方案。

  • 型号:LTC7801EFE#TRPBF
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:24-TSSOP
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > DC-DC 开关控制器
  • 描述:IC REG CTRLR SYNC BUCK 24TSSOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 输出类型:晶体管驱动器
  • 功能:降压
  • 输出配置:正
  • 拓扑:降压
  • 输出数:1
  • 输出阶段:1
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):4V ~ 140V
  • 频率 - 开关:50kHz ~ 900kHz
  • 占空比(最大):100%
  • 同步整流器:无
  • 时钟同步:无
  • 串行接口:-
  • 控制特性:限流,电源良好,软启动,跟踪
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:24-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)焊盘
  • 供应商器件封装:24-TSSOP
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LTC7801EFE#TRPBF是ADI公司推出的一款高性能同步降压开关控制器,采用电流模式架构,专为宽输入电压范围应用而优化。其核心优势在于支持4V至140V的宽输入电压50kHz至900kHz的可编程开关频率,为设计人员提供了极大的灵活性,以适应不同的效率与尺寸要求。

该器件集成了可编程软启动、电源良好指示、输出跟踪和限流等控制与保护特性,确保了系统的稳定启动和可靠运行。其紧凑的24-TSSOP封装和-40°C至125°C的宽工作温度范围,使其成为工业、汽车及通信电源系统中,构建高效、高可靠性降压转换方案的理想选择。

HMC785:集成LO放大器的BiCMOS混频器,1.7 - 2.2 GHz
HMC7992:非反射式硅SP4T开关,0.1 GHz至6.0 GHz
ADPA1105:46 dBm (40 W)、0.9 GHz至1.6 GHz GaN功率放大器
HMC-ALH102:宽带低噪声放大器芯片,2 - 20 GHz
AD7794:6通道、低噪声、低功耗、24位Σ-Δ型ADC,内置片内仪表放大器和基准电压源
LTC1698:隔离式副端同步整流器控制器
AD7142:电容式触摸传感器专用可编程控制器
ADSP-BF537:具备嵌入式网络连接能力的Blackfin处理器
AD1556:适用于24位Σ-Δ型ADC的数字滤波器/抽取器
HMC362S8G:使用InGaP HBT技术,4分频,采用SMT封装,DC - 12 GHz
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