- 制造厂商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
- 类别封装：集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器，封装:12-MSOP-EP
- 技术参数：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12MSOP
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LTC7060JMSE#WPBF 是一款由亚德诺半导体（ADI）设计的高性能、高电压半桥栅极驱动器。该器件采用先进的架构，集成了两个独立的、能够驱动N沟道功率MOSFET的通道，分别用于高端和低端开关。其核心设计亮点在于集成了自举电路，这使得高端驱动器能够通过一个简单的自举电容和二极管，在无需独立隔离电源的情况下，实现相对于开关节点（SW）的浮动供电，从而极大地简化了高压侧驱动的电源设计，并提升了系统可靠性。
在功能特性方面，该驱动器具备高达100V的绝对最大电压额定值，使其能够从容应对工业电机控制、电源转换等高压环境。其峰值输出电流能力达到6A，确保了能够快速对功率MOSFET的栅极电容进行充放电，从而显著降低开关损耗，提升系统效率。器件内置了全面的故障保护机制，包括防直通（击穿）保护和欠压锁定（UVLO）功能。防直通逻辑确保了两个通道不会同时导通，有效防止了桥臂短路；而欠压锁定功能则在VCC电压不足时，强制输出为低电平，确保功率管处于安全的关断状态，增强了系统的鲁棒性。
该芯片采用PWM接口进行控制，兼容性强，易于与微控制器或数字信号处理器连接。其供电电压范围（VCC）为6V至14V，负载电压范围同样为6V至14V，工作结温范围宽达-40°C至150°C，适用于严苛的工业环境。其导通电阻典型值较低（低侧1.5Ω，高侧1.5mΩ），有助于减少驱动级的损耗。该器件采用表面贴装型的12引脚TSSOP封装，节省PCB空间。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ADI代理获取原厂正品和技术支持。
基于其高电压耐受能力、强大的驱动性能和内置的保护功能，LTC7060JMSE#WPBF非常适合于各类通用型半桥功率拓扑应用。典型应用场景包括工业自动化中的有刷/无刷直流电机驱动、开关电源（SMPS）中的同步整流和功率级驱动、以及需要高效功率切换的DC-DC转换器和逆变器系统。其设计充分考虑了系统的简洁性与可靠性，是工程师构建高效、紧凑高压驱动电路的理想选择。
- 型号:LTC7060JMSE#WPBF
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:12-MSOP-EP
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12MSOP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:-
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:-
- 驱动器数:-
- 栅极类型:-
- 电压 - 供电:6V ~ 14V
- 逻辑电压- VIL，VIH:-
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-
- 输入类型:-
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
- 上升/下降时间（典型值）:-
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:12-TSSOP（0.118，3.00mm 宽）焊盘
- 供应商器件封装:12-MSOP-EP
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LTC7060JMSE#WPBF 是ADI公司推出的一款高电压半桥栅极驱动器，专为驱动N沟道功率MOSFET而优化。该器件集成了自举电路，简化了高压侧供电设计，其核心优势在于高达100V的电压耐受能力和6A的峰值输出电流，能够实现功率开关的快速、高效切换。
器件内置了关键的故障保护功能，包括防直通（击穿）保护和欠压锁定（UVLO），显著提升了系统在恶劣工况下的可靠性。其工作电压范围为6V至14V，工作结温范围覆盖-40°C至150°C，并采用紧凑的12-TSSOP封装，使其成为工业电机控制、电源转换和通用逆变器等高压、高可靠性应用的理想驱动解决方案。
