还在为驱动高压侧MOSFET寻找一颗既强劲又可靠的“心脏”吗？LTC7003HMSE#PBF正是您期待的答案。这颗高端栅极驱动器能轻松驾驭高达60V的电压，以纳秒级的快速开关（典型值90ns上升/40ns下降），让您的N沟道MOSFET发挥出极致性能，显著降低开关损耗，提升整个电源系统的效率和功率密度。

它拥有3.5V至15V的宽泛供电电压，兼容多种逻辑电平，其非反相输入让控制逻辑直观简单。无论是面对工业的严酷环境还是车载电子的温度挑战，它宽广的工作温度范围（-40°C至150°C）都能确保稳定运行。简而言之，LTC7003HMSE#PBF让您能够轻松构建高效、紧凑且可靠的功率开关电路，将复杂的驱动任务化繁为简。

• 制造商产品型号：LTC7003HMSE#PBF
• 制造商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
• 描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16MSOP
• 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
• 包装：管件
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 驱动配置：高端
• 通道类型：单路
• 驱动器数：1
• 栅极类型：N 沟道 MOSFET
• 电压-供电：3.5V ~ 15V
• 逻辑电压-VIL，VIH：-
• 电流-峰值输出（灌入，拉出）：-
• 输入类型：非反相
• 高压侧电压-最大值（自举）：60V
• 上升/下降时间（典型值）：90ns，40ns
• 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：16-TFSOP（0.118，3.00mm 宽）
• LTC7003HMSE#PBF优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。