
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器,封装:16-MSOP-EP
- 技术参数:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16MSOP
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LTC7000IMSE#PBF是一款由亚德诺半导体(ADI)设计生产的高性能、高压侧N沟道MOSFET栅极驱动器。该器件采用先进的CMOS工艺和架构,集成了自举充电电路和电平转换器,能够在高达135V的电压下稳定工作,为高压侧开关提供精确、快速的驱动控制。其内部设计专注于在恶劣的电气环境中保持信号的完整性和驱动的可靠性,是构建高效、紧凑电源转换系统的核心组件。
该栅极驱动器具备多项关键特性以满足严苛的应用需求。其单通道、非反相的高端驱动配置,简化了控制环路设计,并确保了与标准PWM控制信号的直接兼容。器件支持3.5V至15V的宽范围VCC供电,使其能够灵活适配从低电压逻辑到标准12V栅极驱动的不同场景。尤为突出的是其快速的开关性能,典型上升和下降时间分别为90ns和40ns,这能显著降低开关损耗,提升系统整体效率,特别适用于高频开关应用。其工作结温范围覆盖-40°C至125°C,保证了在工业级和汽车级环境下的稳定运行。
在接口与参数方面,LTC7000IMSE#PBF采用表面贴装的16引脚MSOP封装,具有紧凑的尺寸和良好的热性能,便于在空间受限的PCB上进行布局。其高压侧最大工作电压(自举)达到135V,为驱动高压总线上的MOSFET或IGBT提供了充足的裕量。输入信号为逻辑电平兼容,简化了与微控制器或数字信号处理器的连接。对于需要可靠供应链和技术支持的开发者,可以通过ADI中国代理获取该器件及相关设计资源。
基于其高性能和鲁棒性,LTC7000IMSE#PBF非常适合应用于需要高效、可靠高压侧开关的领域。典型应用包括DC-DC转换器、电机驱动系统、电池保护电路以及工业自动化中的电源模块。在电机驱动中,它能精确控制H桥或三相逆变器中的高端开关;在通信和服务器电源中,它有助于实现高效率的同步整流和功率因数校正拓扑。其坚固的设计也使其成为汽车电子系统中驱动泵、风扇或执行器的理想选择。
- 型号:LTC7000IMSE#PBF
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:16-MSOP-EP
- 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16MSOP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:高端
- 通道类型:单路
- 驱动器数:1
- 栅极类型:MOSFET(N 沟道)
- 电压 - 供电:3.5V ~ 135V
- 逻辑电压- VIL,VIH:1.8V,1.7V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值(自举):135 V
- 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns
- 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:16-TFSOP(0.118,3.00mm 宽)焊盘
- 供应商器件封装:16-MSOP-EP
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LTC7000IMSE#PBF是ADI公司推出的一款高压侧N沟道MOSFET栅极驱动器IC,属于电源管理IC中的栅极驱动器系列。该器件采用16引脚MSOP封装,支持表面贴装,工作温度范围为-40°C至125°C,适用于严苛的工业环境。
其核心功能是为高压侧开关提供快速、可靠的驱动信号。器件支持高达135V的自举电压,供电范围(VCC)为3.5V至15V,具备非反相的单通道高端驱动能力。关键的动态性能指标包括典型的90ns上升时间和40ns下降时间,这有助于实现高效率的功率转换,降低开关损耗。



















