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LTC6995HS6-2#TRPBF 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 时钟/定时 > 可编程定时器和振荡器,封装:TSOT-23-6
  • 技术参数:IC OSC SILICON 977HZ SOT-23-6
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LTC6995HS6-2#TRPBF 技术参数详情:

LTC6995HS6-2#TRPBF是亚德诺半导体(Analog Devices)TimerBlox系列中的一款硅振荡器。该器件采用紧凑的TSOT-23-6封装,其核心是一个高度集成的可编程定时引擎,通过单一外部电阻(RSET)即可精确设定其工作频率或定时周期。这种架构消除了传统RC定时电路中对电容的依赖,不仅简化了外围设计,还显著提升了定时精度和温度稳定性,其频率设定仅由电阻值和内部精密基准决定。

该芯片的功能特点突出体现在其极宽的可编程频率范围上,覆盖从29.1微赫兹到977赫兹,能够满足从超长延时到中等频率时钟信号的广泛需求。其工作电压范围为2.25V至5.5V,静态工作电流典型值仅为135微安,这使得它非常适用于电池供电或对功耗敏感的应用环境。同时,它具备出色的温度稳定性,可在-40°C至125°C的工业级温度范围内稳定工作,确保在严苛环境下的可靠性。用户可以通过简单的电阻分压网络在DIV引脚进行配置,实现1至8,388,607的分频比,从而进一步扩展其定时范围,提供极高的设计灵活性。

在接口与参数方面,LTC6995HS6-2#TRPBF提供了简洁的引脚定义,包括电源(V+)、地(GND)、频率设定电阻连接端(SET)、分频比控制端(DIV)以及输出端(OUT)。其输出为方波,可直接驱动数字逻辑输入。关键的电气参数,如供电电压、频率精度和低功耗特性,共同构成了其核心优势。对于需要可靠定时解决方案的设计师而言,通过专业的ADI代理商获取该器件,能够确保获得正品支持与全面的技术资料。

基于上述特性,LTC6995HS6-2#TRPBF非常适合多种应用场景。它常被用于需要精确长延时的系统,如工业控制中的设备启动序列、安全锁存或看门狗定时器。在便携式医疗设备、环境监测传感器等电池供电设备中,其低功耗特性能够有效延长电池寿命。此外,它也可作为微控制器的辅助时钟源,或用于生成特定的低频脉冲信号,简化系统时钟树设计。其小尺寸和易用性使其成为替换庞大且不精确的RC定时电路的理想选择。

  • 型号:LTC6995HS6-2#TRPBF
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:TSOT-23-6
  • 类目:集成电路(IC) > 时钟/定时 > 可编程定时器和振荡器
  • 描述:IC OSC SILICON 977HZ SOT-23-6
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 类型:振荡器 - 硅
  • 计数:-
  • 频率:29.1Hz ~ 977Hz
  • 电压 - 供电:2.25V ~ 5.5V
  • 电流 - 供电:135 A
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
  • 供应商器件封装:TSOT-23-6
  • 安装类型:表面贴装型
  • 等级:-
  • 资质:-
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LTC6995HS6-2#TRPBF是ADI公司TimerBlox系列的一款硅基可编程振荡器,采用TSOT-23-6小型封装。该器件的核心卖点在于通过单一外部电阻即可在29.1Hz至977Hz的极宽范围内精确设定频率或定时周期,无需外部电容,简化了设计并提高了精度与温度稳定性。

其工作电压范围为2.25V至5.5V,静态电流典型值仅为135A,兼具宽压与低功耗特性,非常适合电池供电的便携式设备。同时,它支持通过DIV引脚进行高达8,388,607倍的分频配置,并在-40°C至125°C的工业温度范围内保持可靠工作,为各种定时与低频时钟应用提供了高度灵活且稳健的解决方案。

LTC4088-1:具已调输出电压的高效率电池充电器 / USB 电源管理器
HMC-MDB277:DBL-BAL混频器芯片,70 - 90 GHz
ADAL6110-16:16-Channel, LIDAR Signal Processor
ADSP-BF534:面向汽车和工业应用的Blackfin处理器,具有CAN连接能力
LT1010:快速 ±150mA 电源缓冲器
HMC438:SMT GaAs HBT MMIC 5 分频,DC - 7 GHz
HMC7584:E频段上变频器SiP 71 - 76 GHZ
LT1789:微功率、单电源轨至轨输出仪表放大器
LT1491A:四通道、Over-The-Top、微功率、轨至轨输入和输出运算放大器
HMC519-DIE:GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器芯片,18 - 32 GHz
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