- 制造厂商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
- 类别封装：集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器，封装:12-DFN（3x3）
- 技术参数：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DFN
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LTC4447EDD#PBF是一款由亚德诺半导体（ADI）设计的高性能、半桥栅极驱动器集成电路。该器件采用紧凑的12引脚DFN封装，专为驱动两个N沟道功率MOSFET而优化，构成同步半桥或同步降压转换器中的高侧和低侧开关。其内部架构集成了两个独立的驱动通道，每个通道均具备独立的输入逻辑接口和强大的图腾柱输出级，确保了驱动信号的精确控制与快速响应。
该驱动器的核心优势在于其卓越的开关性能与鲁棒性。高达3.2A的峰值拉电流和灌电流能力，使其能够快速对功率MOSFET的栅极电容进行充放电，从而显著降低开关损耗。典型值仅为8ns和7ns的上升与下降时间，有效减小了开关过渡过程中的电压电流重叠，提升了整体电源效率。其工作电压范围覆盖4V至6.5V，逻辑输入阈值（VIL=2.5V， VIH=3V）兼容标准逻辑电平，便于与控制器连接。高压侧驱动通过自举电容供电，可支持高达42V的绝对最大电压，为高侧开关提供了灵活可靠的偏置方案。
在接口与参数方面，LTC4447EDD#PBF采用非反相输入逻辑，简化了系统时序设计。其宽工作结温范围（-40°C至125°C）确保了在严苛工业环境下的稳定运行。尽管该器件目前已处于停产状态，但在许多现有设计和备件供应中仍具有重要价值。对于需要此类高性能栅极驱动器解决方案的工程师，通过可靠的ADI代理获取原装正品和技术支持是确保设计成功的关键。
该芯片典型应用于高效率DC/DC同步降压转换器、电机驱动、Class D音频放大器以及需要高频、高效开关的电源拓扑中。其快速开关特性和强大的驱动能力，使其成为提升功率转换系统密度和效率的理想选择，尤其适用于对开关损耗和电磁干扰（EMI）有严格要求的场合。
- 型号:LTC4447EDD#PBF
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:12-DFN（3x3）
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DFN
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:同步
- 驱动器数:2
- 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:4V ~ 6.5V
- 逻辑电压- VIL，VIH:2.5V，3V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3.2A，3.2A
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:42 V
- 上升/下降时间（典型值）:8ns，7ns
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:12-WFDFN 焊盘
- 供应商器件封装:12-DFN（3x3）
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LTC4447EDD#PBF是ADI公司推出的一款半桥栅极驱动器IC，属于电源管理IC范畴，采用12-DFN表面贴装封装。该器件设计用于同步驱动两个N沟道MOSFET，其输入逻辑兼容标准电平，供电电压范围为4V至6.5V。
其核心性能体现在高速、强驱动的输出级，提供对称的3.2A峰值拉电流和灌电流能力，结合仅8ns（典型上升）和7ns（典型下降）的开关速度，可极大优化功率MOSFET的开关轨迹，降低开关损耗。高压侧驱动支持最高42V的自举电压，工作温度范围覆盖-40°C至125°C，确保了在工业级应用中的可靠性。
