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- 制造厂商：AD
- 类别封装：电源管理IC - 栅极驱动器，产品封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
- 技术参数：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
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LTC4446EMS8E#TRPBF 技术参数详情：
您正在寻找一颗能显著提升电源系统效率和可靠性的核心驱动芯片吗？LTC4446EMS8E#TRPBF正是您的理想之选。它是一款高性能半桥栅极驱动器，专为驱动N沟道MOSFET而优化，其高达3A/2.5A的峰值输出电流和纳秒级的超快开关速度，能让您轻松驾驭高频开关应用，大幅降低开关损耗，实现前所未有的电源转换效率。
这颗芯片的强大之处在于其卓越的易用性和坚固性。它集成了独立的高端和低端驱动通道，并支持高达114V的自举电压，简化了您的高压侧驱动设计。宽达7.2V至13.5V的供电范围与宽广的-40°C至125°C工作结温，确保了它在工业、汽车、通信等严苛环境中依然稳定如一。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠且高效的动力心脏。
- 制造商产品型号：LTC4446EMS8E#TRPBF
- 制造商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
- 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
- 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
- 包装：卷带（TR）
- 系列：-
- 零件状态：有源
- 驱动配置：半桥
- 通道类型：独立式
- 驱动器数：2
- 栅极类型：N 沟道 MOSFET
- 电压-供电：7.2V ~ 13.5V
- 逻辑电压-VIL，VIH：1.85V，3.25V
- 电流-峰值输出（灌入，拉出）：2.5A，3A
- 输入类型：非反相
- 高压侧电压-最大值（自举）：114V
- 上升/下降时间（典型值）：8ns，5ns
- 工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
- LTC4446EMS8E#TRPBF优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。
HMC460LC5：低噪声放大器，采用SMT封装，DC - 20 GHz
LTC2931：具可调复位和看门狗定时器的可配置 6 通道电源监视器
ADM6316：内置看门狗、手动复位功能的监控电路，推挽低电平有效
ADM1276：集成PMBus接口的热插拔控制器和数字电源及电能监控器
HMC4069：2.9 GHz整数N分频频率合成器(N = 2 - 32)
ADG1408：4 导通电阻、4/8通道、±15 V/12 V/±5 V iCMOS多路复用器
HMC748：13 Gbps Fast Rise Time 2:1 Selector with Programmable Output Voltage
AD9707：14位、175 MSPS TxDAC 数模转换器
LTC4214：负的低电压热插拔控制器
OP293：精密、微功耗、双通道运算放大器
丰富的可销售AD代理库存，专业的销售团队可随时响应您的紧急需求，目标成为有价值的AD代理