产品参考图片
- 制造厂商：AD
- 类别封装：电源管理IC - 栅极驱动器，产品封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
- 技术参数：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
- （丰富的AD公司产品，AD芯片采购平台）
- （提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格）
点击下图下载技术文档
LTC4446EMS8E#PBF 技术参数详情：
还在为驱动大功率MOSFET而烦恼吗？LTC4446EMS8E#PBF正是您的高效动力引擎。这颗半桥栅极驱动器能为您提供高达3A的拉电流和2.5A的灌电流，配合超快的8ns上升和5ns下降时间，它能以惊人的速度精准驱动N沟道MOSFET，显著降低开关损耗，让您的电源转换系统运行得更快、更凉、更高效。
它拥有7.2V至13.5V的宽供电范围和高达114V的自举能力，确保在高压侧应用中稳定可靠。其独立通道和非反相输入设计，让您的控制逻辑清晰简单，布局布线轻松自如。无论是工业驱动、通信电源还是高密度DC-DC转换，它都能让您轻松构建出强劲、可靠且响应迅捷的功率开关电路。
- 制造商产品型号：LTC4446EMS8E#PBF
- 制造商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
- 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
- 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
- 包装：管件
- 系列：-
- 零件状态：有源
- 驱动配置：半桥
- 通道类型：独立式
- 驱动器数：2
- 栅极类型：N 沟道 MOSFET
- 电压-供电：7.2V ~ 13.5V
- 逻辑电压-VIL，VIH：1.85V，3.25V
- 电流-峰值输出（灌入，拉出）：2.5A，3A
- 输入类型：非反相
- 高压侧电压-最大值（自举）：114V
- 上升/下降时间（典型值）：8ns，5ns
- 工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
- LTC4446EMS8E#PBF优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。
AD8512：低噪声、低输入偏置电流、宽带宽、精密JFET双通道运算放大器
AD1851：16位/18位、16 3 FS PCM音频DAC
ADAS1127：64通道、24位电流数字ADC
LTC1732-8.4：锂离子电池线性充电器控制器
LT1353：四通道、250μA、3MHz、200V/μs 运算放大器
ADM8710：低压、高精度、四电压微处理器监控电路
ADM2209E：业界较小的双端口6 TX/10 RX RS-232
ADUM6424A：具有集成直流/直流转换器的四通道隔离器（4:4 定向性）
ADN2817：连续速率10 Mbps至2.7 Gbps时钟和数据恢复IC，集成高灵敏度限幅放大器
LT1168：可利用单个电阻器设置增益的低功率、精准型仪表放大器
丰富的可销售AD代理库存，专业的销售团队可随时响应您的紧急需求，目标成为有价值的AD代理