产品参考图片
- 制造厂商：AD
- 类别封装：电源管理IC - 栅极驱动器，产品封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
- 技术参数：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
- （丰富的AD公司产品，AD芯片采购平台）
- （提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格）
点击下图下载技术文档
LTC4444IMS8E-5#TRPBF 技术参数详情：
想象一下，一颗芯片就能让您的功率MOSFET开关如闪电般迅捷，同时保持系统坚如磐石。LTC4444IMS8E-5#TRPBF正是这样一位“功率开关指挥官”。它专为驱动N沟道MOSFET而优化，能为您提供强劲、干净且快速的栅极驱动信号，彻底释放MOSFET的性能潜力，显著降低开关损耗，提升整体能效。
它内置两路独立的高性能驱动通道，支持高达114V的自举电压，让您轻松构建高效的半桥拓扑。无论是应对高频开关的挑战，还是在嘈杂的工业环境中保持信号的完整性，它都能让您的设计游刃有余。其紧凑的8-MSOP封装和宽工作温度范围，更让您能轻松将其集成到空间受限或环境严苛的应用中，是实现高效、紧凑、可靠电源方案的理想核心。
- 制造商产品型号：LTC4444IMS8E-5#TRPBF
- 制造商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
- 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
- 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
- 包装：卷带（TR）
- 系列：-
- 零件状态：有源
- 驱动配置：半桥
- 通道类型：独立式
- 驱动器数：2
- 栅极类型：N 沟道 MOSFET
- 电压-供电：4.5V ~ 13.5V
- 逻辑电压-VIL，VIH：1.85V，3.25V
- 电流-峰值输出（灌入，拉出）：2.5A，3A
- 输入类型：非反相
- 高压侧电压-最大值（自举）：114V
- 上升/下降时间（典型值）：8ns，5ns
- 工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
- LTC4444IMS8E-5#TRPBF优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。
LTC2368-16：具 94.7dB SNR 的 16 位、1Msps、伪差分单极性 SAR ADC
AD8226：宽电源电压范围、轨到轨输出仪表放大器
LTC1274：具 1μA 停机电流的 12 位、10mW、100ksps ADC
LTM4670：具有可配置10A输出阵列的低VIN、四通道μModule稳压器
LTC7050：采用5mm × 8mm LQFN封装的双通道SilentMOS智能功率级
ADF4153：小数N分频频率合成器
LTC1386：3.3V、低功率、EIA/TIA562 收发器
LT6204：轨至轨输入和输出、1.9nV/√Hz 超低噪声、低功率、100MHz 四路运算放大器
LT1511：具输入电流限制功能的恒定电流 / 恒定电压 3A 电池充电器
ADAU1361：集成PLL的立体声、低功耗、96 kHz、24位音频编解码器
丰富的可销售AD代理库存，专业的销售团队可随时响应您的紧急需求，目标成为有价值的AD代理