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- 制造厂商：AD
- 类别封装：电源管理IC - 栅极驱动器，产品封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
- 技术参数：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
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LTC4444HMS8E#WPBF 技术参数详情：
您正在寻找一颗能强力、精准且可靠地驱动功率MOSFET的“指挥官”吗？LTC4444HMS8E#WPBF正是为此而生。这款半桥栅极驱动器能为您提供高达3A拉电流和2.5A灌电流的强劲输出，配合纳秒级的超快开关速度，轻松驾驭N沟道MOSFET，显著提升电源转换效率并降低开关损耗。
它内置自举电路，支持高达114V的高压侧供电，让您在设计半桥、全桥或同步整流拓扑时更加灵活高效。其宽广的工作电压范围（7.2V至13.5V）与坚固的汽车级（AEC-Q100）品质，确保了即使在-40°C到150°C的极端温度下也能稳定运行，为您的汽车电子、工业电源等高要求应用注入强大信心。
- 制造商产品型号：LTC4444HMS8E#WPBF
- 制造商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
- 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
- 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
- 包装：管件
- 系列：Automotive, AEC-Q100
- 零件状态：有源
- 驱动配置：半桥
- 通道类型：独立式
- 驱动器数：2
- 栅极类型：N 沟道 MOSFET
- 电压-供电：7.2V ~ 13.5V
- 逻辑电压-VIL，VIH：1.85V，3.25V
- 电流-峰值输出（灌入，拉出）：2.5A，3A
- 输入类型：非反相
- 高压侧电压-最大值（自举）：114V
- 上升/下降时间（典型值）：8ns，5ns
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
- LTC4444HMS8E#WPBF优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。
LT4356MP-1
LT4356MP-2：浪涌抑制器
LT4356MP-2：浪涌抑制器
LTC2262-12：12 位、150Msps、超低功率 1.8V ADC
LTC3524：具白光 LED 驱动器的可调 TFT 偏置电源
LT1816：具可编程电源电流的双通道、220MHz、1500V/μs 运算放大器
LT1057：双通道、JFET 输入精准高速运算放大器
ADUC7028：精密模拟微控制器，12位模拟I/O，ARM7TDMI MCU
ADXL350：3轴、±1G/±2G/±4G/±8G 数字加速度计
ADL5375：400 MHz 至6 GHz 宽带正交调制器
AD5405：双通道、12位、高带宽、乘法DAC，内置四象限电阻和并行接口
LTC2605：采用 16 引脚 SSOP 封装的八通道、I2C、16 位轨至轨 DAC
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