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  • 制造厂商:AD
  • 类别封装:电源管理IC - 栅极驱动器,产品封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
  • 技术参数:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
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LTC4444HMS8E#TRPBF 技术参数详情:

还在为功率MOSFET的驱动难题寻找最优解吗?LTC4444HMS8E#TRPBF就是您的高效答案。这颗ADI出品的半桥栅极驱动器,能为您精准、强劲地驱动N沟道MOSFET,其高达3A/2.5A的峰值输出电流和纳秒级的开关速度,让您的电源转换系统运行得更快、损耗更低、发热更少。

它拥有高达114V的自举电压能力,轻松应对高压侧驱动挑战,7.2V至13.5V的宽供电范围则提供了设计的灵活性。无论是工业电机控制、通信电源还是汽车电子,其-40°C至150°C的极端工作温度范围和紧凑的8-MSOP封装,都让您能自信地将其部署在各种严苛环境与空间受限的应用中,大幅提升系统整体可靠性与功率密度。

  • 制造商产品型号:LTC4444HMS8E#TRPBF
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
  • 产品系列:电源管理IC - 栅极驱动器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 驱动配置:半桥
  • 通道类型:独立式
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:N 沟道 MOSFET
  • 电压-供电:7.2V ~ 13.5V
  • 逻辑电压-VIL,VIH:1.85V,3.25V
  • 电流-峰值输出(灌入,拉出):2.5A,3A
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压-最大值(自举):114V
  • 上升/下降时间(典型值):8ns,5ns
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
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