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LTC4441MPMSE#TRPBF 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器,封装:10-MSOP-EP
  • 技术参数:IC GATE DRVR LOW-SIDE 10MSOP
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LTC4441MPMSE#TRPBF 技术参数详情:

LTC4441MPMSE#TRPBF是ADI(Analog Devices)公司推出的一款高性能、低端单通道N沟道MOSFET栅极驱动器。该器件采用紧凑的10引脚MSOP封装,专为在严苛环境下驱动功率开关而设计,其核心架构围绕一个能够提供强大峰值输出电流的驱动级构建,并集成了先进的电平转换和输入逻辑处理电路,确保了在宽电源电压范围(5V至25V)内稳定可靠地工作。

该驱动器的显著特性在于其卓越的开关性能。高达6A的峰值拉电流和灌电流输出能力,使其能够快速地对功率MOSFET的栅极电容进行充放电,从而显著降低开关损耗。典型值仅为13纳秒的上升时间和8纳秒的下降时间,有效支持高频开关应用,提升了整体电源系统的效率和功率密度。其输入逻辑兼容低至1.8V的逻辑电平(VIL/VIH为1.8V/2V),提供了与现代微控制器和数字信号处理器的无缝接口,增强了设计的灵活性。

在接口与参数方面,LTC4441MPMSE#TRPBF采用非反相输入配置,简化了控制环路的设计。其工作结温范围覆盖-55°C至125°C,确保了在工业、汽车和通信基础设施等极端温度环境下的鲁棒性。表面贴装的封装形式符合自动化生产要求。对于需要可靠元器件供应的设计项目,可以通过ADI中国代理获取该产品的技术支持和供应链服务。

基于其强大的驱动能力和快速的开关特性,LTC4441MPMSE#TRPBF非常适合应用于开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制驱动以及需要高效、高速开关的功率拓扑结构中。它能够作为理想的解决方案,用于提升系统中功率MOSFET或IGBT的开关性能,最终实现更高效率、更紧凑的电源设计。

  • 型号:LTC4441MPMSE#TRPBF
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:10-MSOP-EP
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
  • 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 10MSOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 驱动配置:低端
  • 通道类型:单路
  • 驱动器数:1
  • 栅极类型:MOSFET(N 沟道)
  • 电压 - 供电:5V ~ 25V
  • 逻辑电压- VIL,VIH:1.8V,2V
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):6A,6A
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压 - 最大值(自举):-
  • 上升/下降时间(典型值):13ns,8ns
  • 工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:10-TFSOP,10-MSOP(0.118,3.00mm 宽)焊盘
  • 供应商器件封装:10-MSOP-EP
  • LTC4441MPMSE#TRPBF优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

LTC4441MPMSE#TRPBF是一款来自ADI的单通道低端MOSFET栅极驱动器IC。该器件设计用于驱动N沟道功率MOSFET,其核心优势在于提供高达6A的对称峰值输出电流(拉电流和灌电流),并具备极快的开关速度(典型上升/下降时间为13ns/8ns),能有效降低功率开关损耗,提升系统效率。

它支持5V至25V的宽范围供电电压,并兼容低至1.8V的逻辑输入电平,便于与各类控制器连接。其工作温度范围宽达-55°C至125°C,采用10-MSOP表面贴装封装,适用于要求高可靠性、高功率密度和高频操作的开关电源、电机驱动及DC-DC转换器等应用场景。

ADF4106:6 GHz整数N分频PLL
LTC3350:大电流超级电容器后备控制器和系统监视器
ADH363S:DC至12 GHz,8分频
ADRF5054:1 GHz至60 GHz硅SP4T反射式开关
LT1251:40MHz 视频衰减器和 DC 增益控制放大器
ADN4665:3 V、LVDS、四通道、CMOS差分线路驱动器
LTC2377-18:具 102dB SNR 的 18 位、500ksps、低功率 SAR ADC
LT1331:在停机模式中 1 个接收器处于运行状态的 3V RS562 或 5V/3V RS232 收发器
ADP7102:20 V、300 mA低噪声CMOS LDO
AD8450:用于电池测试/形成系统的精密模拟前端和控制器
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