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LTC4421IUHE#TRPBF 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > OR 控制器,理想二极管,封装:36-QFN(5x6)
  • 技术参数:HP PRIORTIZED POWERPATH CONTROLL
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LTC4421IUHE#TRPBF 技术参数详情:

LTC4421IUHE#TRPBF是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的N+1 ORing控制器,属于电源管理IC中的理想二极管与OR控制器产品系列。该器件采用先进的架构,旨在管理多个电源输入(例如主电源和备用电池)之间的无缝切换,确保系统负载始终由优先级最高、电压最合适的电源供电,从而实现无中断的电源路径控制。其核心在于通过外部N沟道MOSFET和精密的控制逻辑,模拟出近乎理想的二极管特性,即极低的正向压降和快速的反向关断,从而最大限度地减少功率损耗和热应力,提升系统整体效率与可靠性。

该芯片的功能特点突出体现在其优先级控制与快速切换能力上。它能够自动监测多个输入电源的电压状态,并遵循预设的优先级(通常电压较高的输入具有优先权)将负载连接至最优电源。其开关延迟时间极短,开启延迟典型值为1.3s,关闭延迟为1.4s,这确保了在主电源发生故障或电压跌落时,能够迅速(微秒级)切换到备用电源,防止系统复位或数据丢失。器件本身不集成功率开关(内部开关:无),而是驱动外部MOSFET,这提供了设计灵活性,允许工程师根据具体的电流和电压需求选择最合适的MOSFET,从而优化成本和性能。其宽泛的3V至36V工作电压范围使其能够适应多种工业电源轨。

在接口与参数方面,LTC4421IUHE#TRPBF设计简洁高效。它采用表面贴装的36引脚WFQFN封装,节省电路板空间。器件静态电流仅为530A,有助于降低系统待机功耗。其工作温度范围覆盖工业级的-40°C至85°C,确保了在苛刻环境下的稳定运行。该器件支持1:1的输入输出比率,典型应用于双电源(N+1)冗余架构。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过授权的ADI代理获取原厂正品和技术支持。

基于其高可靠性、快速切换和优先级管理特性,LTC4421IUHE#TRPBF非常适合应用于对系统连续运行有严格要求的场景。典型应用包括备用电池切换系统(如通信基站、数据中心的不间断电源UPS)、工业自动化设备(如PLC、控制器)的冗余电源设计,以及任何需要实现电源冗余、负载共享或热插拔功能的电子系统。它为解决电源路径中的二极管损耗、反向电流和切换延迟等传统难题提供了一个高效、集成的解决方案。

  • 型号:LTC4421IUHE#TRPBF
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:36-QFN(5x6)
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > OR 控制器,理想二极管
  • 描述:HP PRIORTIZED POWERPATH CONTROLL
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 类型:N+1 ORing 控制器
  • FET 类型:N 通道
  • 比率 - 输入:1:1
  • 内部开关:无
  • 延迟时间 - 开启:1.3 s
  • 延迟时间 - 关闭:1.4 s
  • 电流 - 输出(最大值):-
  • 电流 - 供电:530 A
  • 电压 - 供电:3V ~ 36V
  • 应用:备用电池,工业级
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:36-WFQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:36-QFN(5x6)
  • LTC4421IUHE#TRPBF优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

LTC4421IUHE#TRPBF是ADI公司推出的一款N+1 ORing控制器,属于电源管理IC中的理想二极管控制器系列。该器件通过驱动外部N沟道MOSFET,实现多个电源输入之间的自动、无缝切换,为核心负载提供不间断供电。

其核心优势在于极低的功率损耗和快速的切换响应。器件工作电压范围宽达3V至36V,静态电流仅530A,并具备微秒级(开启1.3s,关闭1.4s)的切换延迟,确保在主电源故障时能迅速启用备用路径。其工业级工作温度范围(-40°C至85°C)和紧凑的36-WFQFN封装,使其成为备用电池系统、工业设备冗余电源等要求高可靠性应用的理想选择。

ADN4695E:具有2类接收器的3.3 V、100 MBPS、全双工、高速M-LVDS收发器
ADXRS624:±50°/s偏航角速度陀螺仪
AD8041S:航空航天用160 MHz轨到轨放大器,具有禁用特性
HMC8415:40 W (46 dBm), 9 GHz to 10.5 GHz, GaN Power Amplifier
AD5325:2.5 V至5.5 V、500 μA、双线式接口、四通道、电压输出12位DAC,采用10引脚MICROSOIC封装
LTC3541-3:高效率降压 + VLDO 稳压器
LTC2327-18:具 95dB SNR 的 18 位、500ksps、±10.24V 真正双极、伪差分输入 ADC
LTC2234:10 位、135Msps ADC
LTC3558:具降压和降压-升压型稳压器的线性 USB 电池充电器
LT3710:副端同步后置稳压器
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