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LTC4416IMS#PBF 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > OR 控制器,理想二极管,封装:10-MSOP
  • 技术参数:IC OR CTRLR SRC SELECT 10MSOP
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LTC4416IMS#PBF 技术参数详情:

LTC4416IMS#PBF是一款由亚德诺半导体(ADI)设计的高性能、低损耗源极选择器开关,属于其标志性的PowerPath产品系列。该器件采用先进的P通道MOSFET栅极控制架构,旨在实现两个输入电源之间的无缝、低损耗切换,其核心工作原理是监测两个输入源(如主电源和备用电池)的电压,并自动将负载连接到电压较高的那个电源上,从而确保系统供电的连续性和可靠性。这种设计避免了传统二极管“或”电路中由正向压降引起的显著功率损耗和发热问题,显著提升了系统效率。

该芯片的功能特点突出体现在其极低的静态电流(典型值130A)宽泛的工作电压范围(3.6V至36V)上,使其非常适合由电池供电或对功耗敏感的应用。其内置的精确比较器和控制逻辑确保了快速、平滑的切换,开启和关闭延迟时间分别仅为60s和30s,有效防止了电源切换过程中的电压毛刺和反向电流。器件本身不集成功率MOSFET,而是通过驱动外部P-MOSFET来实现开关功能,这种设计提供了极大的灵活性,允许工程师根据具体的电流和电压需求选择最合适的外部MOSFET,从而实现从毫安级到数十安培的大电流开关应用。

在接口与参数方面,LTC4416IMS#PBF采用紧凑的10引脚MSOP封装,支持-40°C至125°C的扩展工业与汽车级工作温度范围,确保了在严苛环境下的稳定运行。其2:2的输入输出比率意味着它可以独立控制两个输入通道,并驱动两个外部MOSFET。对于需要可靠电源路径管理的复杂系统设计,ADI中国代理能够提供全面的技术支持与供应链服务。该器件的典型应用场景广泛,包括但不限于需要不间断供电的电池备份系统、工业自动化控制单元、汽车电子中的电源冗余设计,以及任何需要高效、可靠地在多个电源之间进行选择或实现“理想二极管”功能的场合,是构建高可靠性电源系统的关键组件。

  • 型号:LTC4416IMS#PBF
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:10-MSOP
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > OR 控制器,理想二极管
  • 描述:IC OR CTRLR SRC SELECT 10MSOP
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 类型:源极选择器开关
  • FET 类型:P 通道
  • 比率 - 输入:2:2
  • 内部开关:无
  • 延迟时间 - 开启:60 s
  • 延迟时间 - 关闭:30 s
  • 电流 - 输出(最大值):-
  • 电流 - 供电:130 A
  • 电压 - 供电:3.6V ~ 36V
  • 应用:电池备份,工业/汽车级,大电流开关
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:10-TFSOP,10-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
  • 供应商器件封装:10-MSOP
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LTC4416IMS#PBF是ADI公司PowerPath系列中的一款源极选择器开关IC,专为实现高效、低损耗的电源路径管理而设计。该器件通过驱动外部P通道MOSFET,在两个输入电源(如主适配器和备用电池)之间自动选择电压较高者为负载供电,完美替代了传统肖特基二极管“或”电路,彻底消除了其固有的正向压降功率损耗。

其核心优势在于仅130A的超低静态电流3.6V至36V的宽工作电压范围,非常适合电池供电的便携式设备及工业系统。器件提供60s(开启)和30s(关闭)的快速切换延迟,并支持-40°C至125°C的宽温工作,确保了在各种严苛环境下电源切换的可靠性、高效性与鲁棒性。

AD7389-4:差分输入、四通道、内部基准电压源同步采样、16位SAR ADC
ADA4084-1:30 V、低噪声、轨到轨输入/输出、低功耗运算放大器
LT1247:1MHz 离线式电流模式 PWM 和 DC/DC 转换器
AD9715:双路、10位、低功耗数模转换器
ADH941S:航空航天 0.1 GHz 到 30 GHz、GaAs、MMIC、5 位 0.5 dB LSB、数字衰减器
LTC4007:4A、高效率、独立型锂离子电池充电器
AD4022:20位、1.8 MSPS/1 MSPS/500 kSPS、轻松驱动、差分SAR ADC
LTC1154:高压侧微功率 MOSFET 驱动器
ADM7172:6.5 V、2 A、超低噪声、高 PSRR、快速瞬态响应 CMOS LDO
ADPA1106:46 dBm (40 W)、2.7 GHz至3.5 GHz GaN功率放大器
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