
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > OR 控制器,理想二极管,封装:8-SO
- 技术参数:IDEAL DIODE CONTROLLER WITH REVE
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LTC4359HS8#PBF是一款由ADI(Analog Devices)推出的N+1 ORing控制器,属于其电源管理IC中的理想二极管控制器系列。该器件采用8引脚SOIC封装,设计用于在-40°C至125°C的宽温度范围内可靠工作,尤其符合汽车级应用的严苛要求。其核心架构旨在模拟一个近乎理想的二极管行为,通过控制一个外部N沟道MOSFET来实现极低的正向压降和快速关断,从而在冗余电源或并联电源系统中实现高效、无缝的电源路径切换。
该控制器具备多项关键功能特性。其工作电压范围宽达4V至80V,使其能够适应从低压到高压的各种电源总线环境。它通过监测外部MOSFET两端的电压差来精确控制其导通与关断,实现了仅300纳秒的快速关断延迟,这能有效防止在输入电源故障或短路时发生反向电流,保护上游电源。同时,其开启延迟约为200微秒,有助于避免因噪声引起的误触发,确保系统稳定。器件本身的静态电流极低,供电电流典型值仅为150A,输出电流最大为220A,这有助于降低系统待机功耗。
在接口与参数方面,LTC4359HS8#PBF需要搭配一个外部N沟道MOSFET使用,其性能直接取决于所选MOSFET的导通电阻(RDS(ON)),从而能够实现比传统肖特基二极管更低的功率损耗和压降。这种设计提供了极大的灵活性,工程师可以根据具体的电流和电压需求选择最合适的MOSFET。其紧凑的表面贴装封装和简单的应用电路,简化了PCB布局和系统集成。对于需要可靠货源和技术支持的客户,可以通过正规的ADI一级代理商进行采购与咨询。
该芯片典型的应用场景集中在高可用性系统中。在电信基础设施、网络设备和服务器等关键领域,它用于构建冗余电源(N+1)架构,确保当一路输入电源失效时,负载能由另一路电源无缝供电,避免系统中断。在汽车电子中,其宽温范围和可靠性使其适用于需要持续供电的ADAS(高级驾驶辅助系统)或信息娱乐系统。此外,它也适用于任何需要防止反向电流、实现“或”(ORing)功能或替代功率肖特基二极管以提升效率的场合。
- 型号:LTC4359HS8#PBF
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:8-SO
- 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > OR 控制器,理想二极管
- 描述:IDEAL DIODE CONTROLLER WITH REVE
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 类型:N+1 ORing 控制器
- FET 类型:N 通道
- 比率 - 输入:N:1
- 内部开关:无
- 延迟时间 - 开启:200 s
- 延迟时间 - 关闭:300 ns
- 电流 - 输出(最大值):220A
- 电流 - 供电:150 A
- 电压 - 供电:4V ~ 80V
- 应用:冗余电源,电信基础结构
- 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SO
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LTC4359HS8#PBF是ADI公司推出的一款汽车级、表面贴装N+1 ORing控制器,属于理想二极管控制器产品线。该器件通过驱动一个外部N沟道MOSFET来模拟理想二极管,旨在为冗余电源系统提供高效、可靠的电源路径管理解决方案。
其核心优势在于4V至80V的宽工作电压范围和极快的300ns关断延迟,能迅速阻断反向电流,有效保护电源总线。同时,仅150A的低供电电流有助于降低系统整体功耗。该控制器适用于-40°C至125°C的环境温度,满足汽车及电信基础设施等高要求应用场景,是构建高可用性电源系统的关键组件。



















