
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > OR 控制器,理想二极管,封装:8-MSOP
- 技术参数:IC OR CTRLR N+1 8MSOP
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LTC4359CMS8#TRPBF是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的N+1 ORing控制器,采用紧凑的8引脚MSOP封装。该器件旨在通过控制外部N沟道MOSFET,实现多个电源输入到单一负载总线的理想二极管“或”功能,从而构建高可靠性冗余电源系统。其核心架构围绕一个精密的比较器与快速栅极驱动电路构建,能够持续监测外部MOSFET两端的电压降(源极与漏极之间),并与一个可编程的25mV门限进行比较,以此精确判断MOSFET的导通状态并防止反向电流。
该控制器的一个显著功能特点是其极快的关断响应速度,当检测到反向电流条件时,能在300纳秒内快速关断外部MOSFET,有效隔离故障电源,防止其拖垮公共总线。同时,其开启延迟时间被设定为200微秒,这有助于在系统启动或电源切换时避免浪涌电流和振荡,确保平稳的切换过程。器件本身集成了栅极电荷泵,能够驱动标准电平或逻辑电平的N-MOSFET,工作电压范围宽达4V至80V,使其能够适应从低电压到高电压的多种电源环境。其静态电流极低,供电电流典型值仅为150A,有助于降低系统待机功耗。
在接口与参数方面,LTC4359CMS8#TRPBF设计简洁,主要接口包括用于连接外部MOSFET栅极的Gate引脚、用于检测电压的Source和Drain引脚以及使能控制引脚。其宽泛的工作电压范围和快速的动态响应是其关键电气参数。对于需要稳定、长期供货和技术支持的客户,通过正规的ADI一级代理商进行采购是确保产品正品与供应链可靠性的重要途径。该器件的工作温度范围为0°C至70°C,采用表面贴装形式,适合自动化生产。
其典型应用场景广泛覆盖了对系统连续运行要求极高的领域。在电信和网络基础设施中,如路由器、交换机和基站,它用于实现电源模块的N+1冗余,确保某一路电源失效时系统供电不中断。在工业自动化和汽车电子(符合相关应用场景要求)中,该芯片可用于构建高可用的电源背板或电池备份切换系统,提升整体设备的可靠性与平均无故障时间。其快速关断特性对于保护敏感负载和防止总线电压崩溃至关重要。
- 型号:LTC4359CMS8#TRPBF
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:8-MSOP
- 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > OR 控制器,理想二极管
- 描述:IC OR CTRLR N+1 8MSOP
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 类型:N+1 ORing 控制器
- FET 类型:N 通道
- 比率 - 输入:N:1
- 内部开关:无
- 延迟时间 - 开启:200 s
- 延迟时间 - 关闭:300 ns
- 电流 - 输出(最大值):220A
- 电流 - 供电:150 A
- 电压 - 供电:4V ~ 80V
- 应用:冗余电源,电信基础结构
- 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
- 供应商器件封装:8-MSOP
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LTC4359CMS8#TRPBF是ADI公司推出的一款N+1 ORing控制器,属于电源管理IC中的理想二极管控制器类别。该器件通过驱动外部N沟道MOSFET,模拟出近乎理想的二极管“或”功能,专为构建高可靠性冗余电源系统而设计。
其核心优势在于极快的300ns关断延迟,能迅速隔离故障电源路径,防止反向电流影响总线。器件支持4V至80V的宽工作电压范围,并具备200s的开启延迟以抑制浪涌。静态电流低至150A,有助于节能。该MSOP封装器件适用于电信、冗余电源及需要高可用性的基础设施应用。



















