
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > OR 控制器,理想二极管,封装:14-DFN(4x3)
- 技术参数:IC OR CTRLR SRC SELECT 14DFN
- (丰富的AD公司产品,AD芯片采购平台)
- (提供当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格)

在需要高可用性的分布式电源系统中,LTC4355CDE#TRPBF是一款由ADI(Analog Devices)推出的N+1 ORing控制器,它通过驱动外部N沟道MOSFET来模拟理想二极管的行为,从而在多路电源输入之间实现无缝、低损耗的冗余切换。其核心架构旨在解决传统二极管或继电器方案中存在的压降大、功耗高和切换速度慢等问题,通过精确的电压比较和快速响应的栅极驱动电路,确保系统总线电压的稳定性和连续性。
该器件具备多项关键功能特性。其工作电压范围覆盖±48V,使其非常适用于-48V通信电源系统等高压环境。关闭延迟时间典型值仅为300纳秒,这一极快的关断速度能够在检测到输入电源故障(如电压跌落)时,迅速关断对应的外部MOSFET,有效防止电流反向流动,保护健康的电源路径不受故障源影响。同时,其静态工作电流典型值为2mA,有助于降低系统待机功耗。由于控制器本身不集成功率开关,设计者可以根据具体的电流和电压需求灵活选择外部MOSFET,这提供了极大的设计弹性,能够优化成本与性能。
在接口与参数方面,LTC4355CDE#TRPBF采用紧凑的14引脚DFN封装,支持表面贴装,适用于高密度板卡设计。其输入输出配置比为2:1,支持典型的双电源冗余(N+1)架构。器件的工作温度范围为0°C至70°C,满足商业级应用的环境要求。对于需要获取此芯片进行原型设计或批量生产的工程师,通过正规的ADI一级代理商渠道可以确保获得原装正品和全面的技术支持。
该控制器的典型应用场景高度聚焦于对系统连续运行有苛刻要求的领域。它是AdvancedTCA(高级电信计算架构)系统中电源冗余管理的理想选择,能够为刀片服务器和通信板卡提供可靠的“热插拔”电源备份。此外,在-48V分布式电源系统、网络路由器、交换机、基站以及任何采用多路电源并联以实现冗余供电的工业设备中,LTC4355都能发挥关键作用,通过实现近乎零压降的“理想二极管”功能,显著提升系统整体的能效与可靠性。
- 型号:LTC4355CDE#TRPBF
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:14-DFN(4x3)
- 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > OR 控制器,理想二极管
- 描述:IC OR CTRLR SRC SELECT 14DFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 类型:N+1 ORing 控制器
- FET 类型:N 通道
- 比率 - 输入:2:1
- 内部开关:无
- 延迟时间 - 开启:-
- 延迟时间 - 关闭:300 ns
- 电流 - 输出(最大值):-
- 电流 - 供电:2 mA
- 电压 - 供电:48V,-48V
- 应用:-48V Dist 电源系统,AdvancedTCA 系统
- 工作温度:0°C ~ 70°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:14-WFDFN 焊盘
- 供应商器件封装:14-DFN(4x3)
- LTC4355CDE#TRPBF优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。
LTC4355CDE#TRPBF是ADI公司生产的一款N+1 ORing控制器,属于电源管理IC中的理想二极管控制器类别。该器件采用14引脚DFN表面贴装封装,设计用于驱动外部N沟道MOSFET,以替代功率肖特基二极管,实现多路电源之间的低损耗冗余切换。
其核心卖点在于支持高达±48V的工作电压,并具备极快的300纳秒典型关断延迟,可迅速隔离故障电源路径,防止电流倒灌。静态电流仅为2mA,有助于系统节能。该控制器专为需要高可靠性的-48V分布式电源系统和AdvancedTCA架构等应用而优化,通过提供灵活的MOSFET选型,为设计人员提供了高效、可靠的电源冗余解决方案。



















