
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > OR 控制器,理想二极管,封装:12-DFN(3x3)
- 技术参数:IC OR CTRLR N+1 12DFN
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LTC4352HDD#TRPBF是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的N+1 ORing控制器,采用紧凑的12引脚DFN封装,属于电源管理IC中的理想二极管控制器系列。该器件专为构建高可靠性冗余电源系统而设计,通过控制外部N沟道MOSFET来模拟理想二极管的单向导通特性,从而实现多个电源输入到单一负载总线的“或”(ORing)连接。其核心架构基于快速比较器和精密栅极驱动电路,能够持续监测MOSFET两端的电压降,并动态调整其栅极电压,以确保在正向导通时压降极低,在反向或故障发生时迅速关断,有效替代了传统肖特基二极管,显著降低了功率损耗和热管理需求。
该控制器的一个突出功能特点是其极快的开关响应速度。开启延迟时间仅为250纳秒,关闭延迟时间更是低至200纳秒,这使得它能够对电源故障或输入瞬变做出近乎瞬时的反应,防止故障电源反向向总线灌入电流,从而保障负载供电的连续性和后端电路的安全。器件本身不集成功率开关,这赋予了设计上的灵活性,允许工程师根据具体的电流和电压等级选择最合适的外部MOSFET,以优化系统效率和成本。其工作电压范围宽达2.9V至18V,静态工作电流典型值为1.4mA,功耗极低,非常适合对能效有要求的应用。
在接口与参数方面,LTC4352HDD#TRPBF支持N:1的ORing配置,即可以管理多个(N个)输入电源通道,共同向一个负载供电。它能在-40°C至150°C的严苛工业温度范围内稳定工作,确保了在恶劣环境下的可靠性。其表面贴装型封装和卷带包装也符合现代自动化生产的要求。对于需要可靠电源方案的设计师而言,通过ADI中国代理可以便捷地获取该芯片的技术支持与供应服务。
该芯片典型的应用场景集中在需要极高可用性的领域。在电信基础设施设备,如基站和网络交换机中,它用于实现电源模块的冗余备份,确保某一电源模块失效时,负载能无缝切换到其他正常模块,避免系统宕机。此外,在服务器、存储系统、工业控制系统以及任何采用多路电源并联供电的场合,LTC4352HDD#TRPBF都能提供高效、可靠的“理想二极管”功能,显著提升整个电源系统的效率和可靠性,是构建高可用性电源架构的关键组件。
- 型号:LTC4352HDD#TRPBF
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:12-DFN(3x3)
- 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > OR 控制器,理想二极管
- 描述:IC OR CTRLR N+1 12DFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 类型:N+1 ORing 控制器
- FET 类型:N 通道
- 比率 - 输入:N:1
- 内部开关:无
- 延迟时间 - 开启:250 ns
- 延迟时间 - 关闭:200 ns
- 电流 - 输出(最大值):-
- 电流 - 供电:1.4 mA
- 电压 - 供电:2.9V ~ 18V
- 应用:冗余电源,电信基础结构
- 工作温度:-40°C ~ 150°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:12-WFDFN 焊盘
- 供应商器件封装:12-DFN(3x3)
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LTC4352HDD#TRPBF是ADI公司推出的一款N+1 ORing控制器,属于电源管理IC中的理想二极管控制器系列。该器件采用12-WFDFN封装,通过控制外部N沟道MOSFET来模拟理想二极管的单向导通与快速关断特性,旨在构建高效、可靠的冗余电源系统。
其技术核心在于极快的动态响应,开启与关闭延迟时间分别仅为250ns和200ns,能迅速隔离故障电源,防止电流倒灌。器件工作电压范围宽(2.9V至18V),静态电流低至1.4mA,并支持-40°C至150°C的工业级工作温度,确保了在严苛环境下的稳定性和低功耗表现。它主要应用于电信基础设施、服务器等对电源连续性和可靠性要求极高的领域。



















