
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 以太网供电(PoE)控制器,封装:32-DFN(7x4)
- 技术参数:IC POE CNTRL 1 CHANNEL 32DFN
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LTC4278IDKD#TRPBF是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款高度集成的单通道以太网供电(PoE)受电设备(PD)控制器,采用紧凑的32引脚DFN封装。该芯片专为符合IEEE 802.3af/at标准的PoE应用而设计,内部集成了关键的检测、分类、浪涌保护和DC/DC转换器功能,为需要从以太网电缆获取电力的设备提供了一个完整、可靠的电源管理解决方案。
其核心架构围绕一个高效的隔离式反激式控制器构建,集成了100V、0.6Ω的N沟道MOSFET作为开关管,显著简化了外部电路设计并提升了系统可靠性。芯片内部集成了完整的PD接口,能够自动执行IEEE标准要求的检测和分类签名过程,并支持可编程的分类电流,便于电源设备(PSE)识别其功率等级。在完成握手并成功上电后,其内部的高效电流模式DC/DC控制器开始工作,将来自以太网线缆的隔离电压转换为设备所需的稳定直流电压。
该器件的一个突出功能特点是其辅助支持(AUX)功能,允许设备在PoE电源不可用时,无缝切换至一个备用的本地辅助电源(如墙上适配器)供电,这一特性对于要求高可用性的关键设备至关重要。其工作电压范围宽达37.2V至60V,最大支持功率为25.5W,完全满足PoE+(802.3at Type 1)标准。此外,芯片具备全面的保护特性,包括热关断、输出过压和过流保护,以及用于限制浪涌电流的集成热插拔MOSFET,确保了系统在各种异常情况下的安全运行。
在接口与参数方面,LTC4278IDKD#TRPBF通过少数几个外部元件即可配置输出电压和限流点,设计灵活性高。其供电电流极低,最大仅为1.35mA,有助于降低系统待机功耗。该器件采用表面贴装型封装,工作温度范围为工业级的-40°C至85°C,能够适应苛刻的环境。对于需要稳定货源和技术支持的客户,可以通过授权的ADI代理获取该产品及相关设计资源。
基于其高集成度、高可靠性和符合行业标准的特性,LTC4278IDKD#TRPBF非常适合应用于各类网络设备,例如无线接入点(AP)、网络摄像头(IP Camera)、VoIP电话、物联网网关以及工业以太网设备。它为这些设备提供了一种通过标准以太网线缆进行数据和电力一体化传输的简洁、高效的解决方案,极大地简化了布线,降低了安装和维护成本。
- 型号:LTC4278IDKD#TRPBF
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:32-DFN(7x4)
- 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 以太网供电(PoE)控制器
- 描述:IC POE CNTRL 1 CHANNEL 32DFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 类型:控制器(PD),DC/DC
- 通道数:1
- 功率 - 最大值:25.5 W
- 内部开关:是
- 辅助作用:是
- 标准:802.3at(PoE+),802.3af(PoE)
- 电压 - 供电:37.2V ~ 60V
- 电流 - 供电:1.35mA(最大)
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:32-WFDFN 焊盘
- 供应商器件封装:32-DFN(7x4)
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LTC4278IDKD#TRPBF是一款来自Analog Devices的单通道PoE PD控制器,完全兼容IEEE 802.3af(PoE)和802.3at(PoE+)标准,最大支持功率达25.5W。该器件集成了检测、分类、浪涌保护MOSFET及一个电流模式DC/DC控制器,提供了从以太网端口到设备负载的完整电源转换路径。
其核心优势在于高集成度与可靠性,内部集成了100V N沟道MOSFET,并具备辅助电源(AUX)支持功能,确保在主PoE电源失效时系统仍能持续工作。该IC工作于37.2V至60V的宽输入电压范围,采用32-WFDFN表面贴装封装,适用于-40°C至85°C的工业温度环境,是构建紧凑、高效、高可用性网络供电终端设备的理想选择。



















