- 制造厂商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
- 类别封装：集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 特殊用途稳压器，封装:24-QFN（3x5）
- 技术参数：IC REG CONV DDR 1OUT 24QFN
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LTC3617IUDD#TRPBF是一款由Analog Devices设计生产的高效、单通道同步降压型稳压器，采用紧凑的24引脚QFN封装，专为满足DDR（双倍数据速率）存储器终端电源（VTT）和基准电压（VREF）的严格要求而优化。其核心架构基于一个恒定频率、电流模式的控制环路，集成了低导通电阻的功率MOSFET开关，能够在宽输入电压范围内实现高效率的能量转换。该设计确保了快速瞬态响应和优异的负载调节能力，这对于维持DDR总线信号的完整性至关重要。
该器件具备多项关键功能特性，以支持复杂的DDR电源管理需求。它能够独立或跟踪主存储器电源（VDDQ）生成精准的VTT总线终端电压和半电压VREF基准。其内置的跟踪与控制电路确保VTT电压始终精确跟随VDDQ/2，即使在VDDQ动态变化时也能保持严格的容差，这对于DDR2、DDR3、DDR4及低功耗DDR存储器的稳定运行是基础要求。此外，芯片集成了源出与吸入电流能力均衡的缓冲放大器，为VTT总线提供必要的拉电流和灌电流，以快速响应总线状态切换，最小化电压偏差。
在接口与参数方面，LTC3617IUDD#TRPBF支持2.25V至5.5V的宽输入电压范围，输出电压可调低至0.5V，完全覆盖各类DDR内存的VTT/VREF电压需求。其开关频率可通过外部电阻在300kHz至2MHz范围内设定，允许设计者在效率与外部元件尺寸之间取得最佳平衡。器件工作温度范围为-40°C至125°C，确保在严苛的工业与通信环境下可靠工作。其表面贴装型24-WFQFN封装优化了热性能与占板面积。对于需要稳定供货与技术支持的设计项目，通过专业的ADI一级代理商进行采购是确保供应链可靠性的常见做法。
该稳压器的典型应用场景集中于需要高性能、高可靠性内存子系统的领域。它广泛应用于服务器、数据中心设备、网络路由器/交换机、高端图形工作站以及嵌入式计算平台中，为DDR内存模块提供洁净、稳定的终端电源和参考电压。其快速瞬态响应和精确的跟踪能力，有效抑制了由高速数据切换引起的电源噪声，是提升系统整体信号完整性和数据可靠性的关键电源组件。
- 型号:LTC3617IUDD#TRPBF
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:24-QFN（3x5）
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 特殊用途稳压器
- 描述:IC REG CONV DDR 1OUT 24QFN
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 应用:转换器，DDR
- 电压 - 输入:2.25V ~ 5.5V
- 输出数:1
- 电压 - 输出:可调至 0.5V
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:24-WFQFN 焊盘
- 供应商器件封装:24-QFN（3x5）
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LTC3617IUDD#TRPBF是ADI公司推出的一款专用于DDR存储器系统的单输出稳压器IC。该器件采用24-QFN封装，设计用于生成精确的VTT总线终端电压和VREF参考电压，其输出电压可调至0.5V，并能严格跟踪主内存电源（VDDQ）的变化。
其核心优势在于集成了高性能的同步降压稳压器和缓冲放大器，提供均衡的源出与吸入电流能力，以应对DDR总线快速切换的负载需求。支持2.25V至5.5V的宽输入电压范围，工作温度覆盖-40°C至125°C，适用于对电源完整性和可靠性要求极高的服务器、网络通信及嵌入式系统。
