还在为驱动高端MOSFET寻找一个既简单又高效的方案吗？LTC1982ES6#TRMPBF正是您理想的答案。这颗来自ADI的高端栅极驱动器IC，能让您仅凭1.8V至5.5V的单路电源，就轻松、可靠地驱动两个N沟道MOSFET。

它采用紧凑的SOT-23-6封装，非常适合空间宝贵的便携设备和紧凑型电源模块。其宽工作温度范围（-40°C至85°C）和反相输入逻辑设计，确保了在各种严苛环境和标准数字接口下的稳定运行。无论是用于提升DC-DC转换器的效率，还是构建精密的电机控制桥路，它都能让您的设计事半功倍，性能更上一层楼。

• 制造商产品型号：LTC1982ES6#TRMPBF
• 制造商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
• 描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6
• 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
• 包装：卷带（TR）,剪切带（CT）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 驱动配置：高端
• 通道类型：独立式
• 驱动器数：2
• 栅极类型：N 沟道 MOSFET
• 电压-供电：1.8V ~ 5.5V
• 逻辑电压-VIL，VIH：0.6V，1.4V
• 电流-峰值输出（灌入，拉出）：-
• 输入类型：反相
• 高压侧电压-最大值（自举）：-
• 上升/下降时间（典型值）：-
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：SOT-23-6
• LTC1982ES6#TRMPBF优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。