还在为驱动高端MOSFET的复杂外围电路而烦恼吗？LTC1982ES6#TRM正是为您简化这一切的利器！这颗来自ADI的高端栅极驱动器，能轻松将您微弱的控制信号（低至1.8V逻辑电平）转化为强劲、可靠的驱动能力，精准控制N沟道MOSFET的开关，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更高效、更稳定。

它采用双通道独立设计，为您提供灵活的控制选项；超小的SOT-23-6封装极大节省电路板空间。无论是提升能效、简化布局还是增强系统可靠性，选择LTC1982ES6#TRM，就是选择了一个让设计变轻松的高效解决方案。

• 制造商产品型号：LTC1982ES6#TRM
• 制造商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
• 描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6
• 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
• 包装：剪切带（CT）
• 系列：-
• 零件状态：最後
• 驱动配置：高端
• 通道类型：独立式
• 驱动器数：2
• 栅极类型：N 沟道 MOSFET
• 电压-供电：1.8V ~ 5.5V
• 逻辑电压-VIL，VIH：0.6V，1.4V
• 电流-峰值输出（灌入，拉出）：-
• 输入类型：反相
• 高压侧电压-最大值（自举）：-
• 上升/下降时间（典型值）：-
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：SOT-23-6
• LTC1982ES6#TRM优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。