- 制造厂商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
- 类别封装：集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器，封装:TSOT-23-6
- 技术参数：IC GATE DRVR HIGH-SIDE TSOT23-6
- （丰富的AD公司产品，AD芯片采购平台）
- （提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格）
LTC1982ES6#TRM是亚德诺半导体（Analog Devices）推出的一款高性能、双通道、高端N沟道MOSFET栅极驱动器。该器件采用紧凑的SOT-23-6封装，专为在1.8V至5.5V单电源电压下高效驱动两个独立的高端开关而设计。其内部架构集成了电平转换和自举电路，能够在输入逻辑信号与功率MOSFET栅极所需的高压驱动信号之间实现可靠的电平转换，确保开关管在完全导通与完全关断状态间快速、稳定地切换。
该芯片的核心功能特点在于其专为低电压、单电源应用优化的设计。它接受低至1.8V的逻辑输入，并可直接从同一电源轨产生驱动高端MOSFET所需的栅极电压，极大简化了电源设计。其输入为反相逻辑，增强了系统设计的灵活性。尽管工作在宽电压范围，但其逻辑阈值（VIL=0.6V， VIH=1.4V）经过精心设定，确保了与多种微控制器和数字逻辑电路的稳健接口，有效抑制噪声干扰，提升系统可靠性。
在接口与关键参数方面，LTC1982ES6#TRM的每个通道都是独立式设计，允许用户分别控制两个高端开关。其宽泛的工作温度范围（-40°C至85°C）使其能够适应严苛的工业与汽车环境。表面贴装的SOT-23-6封装不仅节省了宝贵的电路板空间，也符合现代电子产品小型化的趋势。对于需要可靠货源和技术支持的工程师，通过正规的ADI中国代理进行采购是确保产品正宗和获取完整技术资料的有效途径。
这款栅极驱动器非常适合应用于由单节锂离子电池或3.3V/5V标准电源总线供电的系统。其典型应用场景包括便携式设备中的负载开关、电源路径管理、热插拔保护电路，以及需要高效切换正电源轨的分布式电源系统。在电池供电设备中，其低工作电压和高效驱动能力有助于延长电池续航时间；在工业控制模块中，其稳健的性能和宽温工作特性则保障了系统的长期稳定运行。
- 型号:LTC1982ES6#TRM
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:TSOT-23-6
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE TSOT23-6
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:高端
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
- 逻辑电压- VIL，VIH:0.6V，1.4V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-
- 输入类型:反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
- 上升/下降时间（典型值）:-
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:SOT-23-6
- 供应商器件封装:TSOT-23-6
- LTC1982ES6#TRM优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。
LTC1982ES6#TRM是一款由Analog Devices制造的双通道高端N沟道MOSFET栅极驱动器IC。该器件采用SOT-23-6封装，设计用于1.8V至5.5V的单电源电压范围，可直接驱动两个独立的高端开关，简化了低电压系统的电源管理设计。
其核心优势在于兼容低电压逻辑，输入反相逻辑信号，具有明确的逻辑阈值（VIL 0.6V， VIH 1.4V），可与常见的微控制器直接接口。器件支持-40°C至85°C的工业级工作温度，并以剪切带形式提供，适用于要求高可靠性和节省空间的表面贴装应用，如便携式电子设备的负载切换与电源分配。
