
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器,封装:8-MSOP
- 技术参数:IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8MSOP
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LTC1693-3CMS8#TRPBF是一款由Analog Devices(亚德诺半导体)设计生产的单通道、高速MOSFET栅极驱动器集成电路,隶属于其电源管理IC产品线。该器件采用紧凑的8引脚MSOP封装,支持表面贴装工艺,并采用卷带包装,适用于自动化、高吞吐量的生产环境。其核心设计旨在为N沟道功率MOSFET提供高效、可靠的开关控制,通过优化驱动能力与开关时序,有效管理功率转换系统中的开关损耗与电磁干扰。
该驱动器内部集成了独立的拉电流和灌电流输出级,能够提供高达1.5A的峰值输出电流,确保了对MOSFET栅极电容的快速充放电。这一特性直接转化为极短的开关时间,其典型的上升和下降时间仅为16纳秒,这对于需要高开关频率的应用至关重要,能够显著降低开关损耗,提升整体系统效率。器件支持4.5V至13.2V的宽范围供电电压,兼容多种逻辑电平,其输入阈值(VIL=1.7V, VIH=2.2V)使其能够与常见的3.3V和5V逻辑系统无缝接口。输入级设计灵活,提供了反相与非反相两种输入模式,用户可以根据系统逻辑需求进行选择,简化了电路设计。
在架构上,LTC1693-3CMS8#TRPBF的驱动配置支持高压侧或低压侧驱动,为半桥、同步整流等拓扑结构提供了设计便利。其稳健的设计确保了在高达150°C的结温下仍能稳定工作,适用于环境苛刻的工业与汽车应用。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过授权的ADI代理商获取该器件,确保产品的正品来源与技术支持。其紧凑的MSOP封装不仅节省了宝贵的电路板空间,也优化了高开关频率下的寄生参数。
该芯片的接口与参数特性使其成为多种功率管理场景的理想选择。其快速开关能力和强大的驱动电流,使其非常适合用于DC-DC转换器中的同步整流MOSFET驱动、电机控制中的栅极驱动,以及需要高速开关的负载开关和功率ORing电路。在通信基础设施、工业自动化、汽车电子以及分布式电源系统中,LTC1693-3CMS8#TRPBF能够有效提升功率级的响应速度和可靠性,是实现高效率、高密度电源解决方案的关键组件之一。
- 型号:LTC1693-3CMS8#TRPBF
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:8-MSOP
- 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8MSOP
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:高压侧,低压侧
- 通道类型:单路
- 驱动器数:1
- 栅极类型:MOSFET(N 沟道)
- 电压 - 供电:4.5V ~ 13.2V
- 逻辑电压- VIL,VIH:1.7V,2.2V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A
- 输入类型:反相,非反相
- 高压侧电压 - 最大值(自举):-
- 上升/下降时间(典型值):16ns,16ns
- 工作温度:0°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
- 供应商器件封装:8-MSOP
- LTC1693-3CMS8#TRPBF优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。
LTC1693-3CMS8#TRPBF是ADI推出的一款高速单通道MOSFET栅极驱动器IC。该器件专为驱动N沟道MOSFET而优化,提供高达1.5A的对称峰值拉电流和灌电流,并实现仅16ns的典型上升/下降时间,确保功率开关管的高速、高效切换,从而最小化开关损耗。
其工作电压范围宽达4.5V至13.2V,输入逻辑兼容低至1.7V/2.2V的阈值,可直接与3.3V或5V微控制器接口。器件支持高压侧或低压侧配置,提供反相与非反相输入选项,设计灵活性高。采用8引脚MSOP表面贴装封装,工作结温范围覆盖0°C至150°C,适用于对空间和可靠性要求严苛的工业及汽车电源管理应用。



















