
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器,封装:8-SO
- 技术参数:IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
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LTC1693-2IS8#TRPBF是一款由亚德诺半导体(ADI)设计生产的高性能双通道独立式栅极驱动器,采用8引脚SOIC封装,属于电源管理IC中的栅极驱动器产品线。该器件专为高效、高速驱动N沟道功率MOSFET而设计,其核心架构基于两个完全独立的驱动通道,每个通道均可灵活配置为高压侧或低压侧驱动,为半桥、全桥或同步整流等复杂拓扑提供了极大的设计自由度。其内部集成了优化的电平转换和驱动电路,确保了在宽电源电压范围(4.5V至13.2V)内稳定可靠的工作。
该芯片的功能特点突出体现在其高速开关性能与强大的驱动能力上。其典型上升和下降时间仅为16纳秒,结合高达1.5A的峰值拉电流和灌电流输出能力,能够显著降低功率MOSFET的开关损耗,提升系统整体效率并减少电磁干扰(EMI)。其输入逻辑兼容性广泛,逻辑阈值(VIL=1.7V, VIH=2.2V)使其能够轻松与3.3V或5V逻辑电平的微控制器或数字信号处理器(DSP)接口,并且每个通道都提供了独立的反相和非反相输入引脚,允许用户灵活地控制信号极性,简化了外围逻辑电路设计。
在接口与关键参数方面,除了宽范围的工作电压和高速开关特性,LTC1693-2IS8#TRPBF具备卓越的鲁棒性,其结温工作范围覆盖-40°C至150°C,适用于严苛的工业与汽车环境。其表面贴装型8-SOIC封装符合自动化生产要求,卷带(TR)包装便于大规模贴装。对于需要可靠供应链的客户,可以通过授权的ADI代理商获取原装正品,确保产品质量与长期供货稳定性。该器件在无负载时的功耗极低,进一步优化了系统的待机性能。
基于上述技术特性,LTC1693-2IS8#TRPBF非常适合应用于对开关速度和驱动强度有较高要求的场景。典型应用包括开关电源(SMPS)中的同步整流驱动、DC-DC转换器、电机控制驱动电路、以及各类半桥和全桥功率级。在通信基础设施、工业自动化设备和汽车电子系统中,它能够有效提升功率转换效率,实现紧凑、高效且可靠的电源管理解决方案。
- 型号:LTC1693-2IS8#TRPBF
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:8-SO
- 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:高压侧,低压侧
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:MOSFET(N 沟道)
- 电压 - 供电:4.5V ~ 13.2V
- 逻辑电压- VIL,VIH:1.7V,2.2V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A
- 输入类型:反相,非反相
- 高压侧电压 - 最大值(自举):-
- 上升/下降时间(典型值):16ns,16ns
- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SO
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LTC1693-2IS8#TRPBF是ADI公司推出的一款双通道、独立式MOSFET栅极驱动器IC,采用8-SOIC封装。该器件每个通道均可独立配置为高边或低边驱动,为核心功率开关管提供高效、可靠的驱动信号。
其技术核心在于高速、强驱动的性能表现,具备16ns的典型开关速度以及±1.5A的峰值输出电流,能显著降低MOSFET的开关损耗。器件支持4.5V至13.2V的宽电源电压范围,输入逻辑兼容3.3V/5V系统,并可在-40°C至150°C的结温范围内稳定工作,适用于要求严苛的工业与汽车电源应用。



















