
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器,封装:8-SO
- 技术参数:IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
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LTC1693-2CS8#PBF是ADI(Analog Devices)公司推出的一款高性能、双通道、独立式栅极驱动器集成电路,属于其电源管理IC产品线。该器件采用紧凑的8引脚SOIC封装,专为高效、可靠地驱动N沟道功率MOSFET而设计,其核心架构基于两个完全独立的驱动通道,每个通道均可灵活配置为高压侧或低压侧驱动,为电源转换和电机控制拓扑提供了极大的设计自由度。
该芯片的功能特点突出体现在其快速开关性能和强大的驱动能力上。其峰值输出电流(灌入和拉出)均达到1.5A,能够快速对功率MOSFET的栅极电容进行充放电,从而显著降低开关损耗。其典型的上升和下降时间仅为16纳秒,确保了功率器件在高速开关应用中的性能。输入逻辑兼容性良好,逻辑阈值(VIL/VIH)分别为1.7V和2.2V,使其能够轻松与常见的3.3V或5V逻辑电平(如微控制器GPIO)接口,并且每个通道都提供了反相和非反相两种输入类型,简化了外部逻辑电路的设计。
在接口与关键参数方面,LTC1693-2CS8#PBF的供电电压范围宽达4.5V至13.2V,为驱动电路提供了稳定的工作点。其独立式通道设计意味着两个驱动器之间没有内部连接,允许用户独立控制时序和死区时间,这对于需要精确相位控制的半桥或全桥应用至关重要。该器件具备出色的鲁棒性,其结温工作范围覆盖0°C至150°C,适用于工业级和汽车级等严苛环境。对于需要稳定供货和技术支持的国内设计团队,可以通过ADI中国代理获取该产品的详细资料、样片和采购服务。
基于上述特性,LTC1693-2CS8#PBF非常适合应用于要求高效率和高开关频率的场合。典型应用场景包括开关电源(如DC-DC转换器中的同步整流驱动)、电机驱动(用于驱动H桥或三相逆变器中的高边和低边MOSFET)、以及各类需要快速开关功率器件的工业控制和汽车电子系统。其表面贴装型封装和管件包装也符合现代自动化生产的需求。
- 型号:LTC1693-2CS8#PBF
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:8-SO
- 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:高压侧,低压侧
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:MOSFET(N 沟道)
- 电压 - 供电:4.5V ~ 13.2V
- 逻辑电压- VIL,VIH:1.7V,2.2V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A
- 输入类型:反相,非反相
- 高压侧电压 - 最大值(自举):-
- 上升/下降时间(典型值):16ns,16ns
- 工作温度:0°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SO
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LTC1693-2CS8#PBF是ADI公司生产的一款双通道、独立式N沟道MOSFET栅极驱动器IC,采用8-SOIC封装。该器件专为高效驱动功率开关而优化,每个通道均可独立配置为高边或低边驱动,为核心电源拓扑设计提供了高度灵活性。
其技术核心在于强大的驱动能力与快速的开关速度。该驱动器提供高达1.5A的峰值拉电流和灌电流,结合仅16ns的典型上升/下降时间,能显著降低MOSFET的开关损耗,提升系统整体效率。其4.5V至13.2V的宽电源电压范围和1.7V/2.2V的逻辑阈值,确保了与主流控制器的良好兼容性。器件支持0°C至150°C的结温工作范围,适用于要求严苛的工业与汽车应用环境。



















