
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器,封装:8-SO
- 技术参数:IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
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LTC1693-1CS8#TRPBF 是一款由亚德诺半导体(ADI)设计的高性能双通道MOSFET栅极驱动器,采用紧凑的8引脚SOIC封装。该器件专为高效、高速开关应用而优化,其内部架构集成了两个独立的驱动通道,每个通道均能提供强大的峰值输出电流能力。其设计核心在于低传播延迟和匹配良好的上升/下降时间,这确保了在驱动功率MOSFET或IGBT时,开关动作精准同步,有效减少了开关损耗并提升了系统整体效率。
该驱动器具备非反相输入逻辑,简化了与控制器或处理器的接口设计。其输入阈值经过精心设定,逻辑低电平(VIL)为1.7V,逻辑高电平(VIH)为2.2V,使其能够兼容广泛的逻辑电平,包括3.3V和5V系统,增强了设计的灵活性。每个通道都能提供高达1.5A的拉电流和灌电流峰值输出能力,结合典型值仅为16纳秒的快速上升与下降时间,使其能够胜任驱动大栅极电容功率器件的任务,并有效抑制因开关速度慢导致的导通损耗。
在电气特性方面,LTC1693-1CS8#TRPBF 的工作电源电压范围宽达4.5V至13.2V,这为自举电路或独立偏置电源配置提供了便利。其驱动配置支持高压侧或低压侧应用,两个通道可以独立工作,为半桥、全桥或同步整流等拓扑结构提供了理想的驱动解决方案。器件具备出色的鲁棒性,其结温工作范围覆盖0°C至150°C,确保了在严苛工业环境下的稳定运行。作为一款表面贴装型器件,其卷带包装(TR)也适配于自动化贴装生产线,有助于提升生产效率。
凭借其高速、强驱动的特性,该芯片广泛应用于开关电源(SMPS)、电机控制、DC-DC转换器以及需要精密功率开关的领域。在复杂的功率拓扑中,其独立的双通道设计允许工程师灵活配置,无论是驱动一个半桥的上管和下管,还是驱动两个独立的开关,都能游刃有余。对于需要可靠、高性能栅极驱动方案的工程师而言,通过正规的ADI代理商获取此元件,是保障供应链稳定和产品品质的重要一环。
- 型号:LTC1693-1CS8#TRPBF
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:8-SO
- 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:高压侧,低压侧
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:MOSFET(N 沟道)
- 电压 - 供电:4.5V ~ 13.2V
- 逻辑电压- VIL,VIH:1.7V,2.2V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值(自举):-
- 上升/下降时间(典型值):16ns,16ns
- 工作温度:0°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SO
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LTC1693-1CS8#TRPBF 是ADI推出的一款双通道、独立式MOSFET栅极驱动器IC,属于电源管理IC中的栅极驱动器产品线。该器件采用8-SOIC封装,支持表面贴装,并提供卷带包装以适应自动化生产。
其核心优势在于为每个通道提供高达1.5A的对称峰值输出电流(拉电流和灌电流),并具备极快的16ns典型开关速度(上升/下降时间),能有效驱动N沟道MOSFET,实现高效功率切换。器件工作电压范围为4.5V至13.2V,输入兼容低至1.7V(VIL)的逻辑电平,设计灵活。它支持高压侧或低压侧配置,可在高达150°C结温下稳定工作,适用于要求高可靠性的工业与汽车环境。



















