
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器,封装:8-MSOP
- 技术参数:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8MSOP
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作为一款专为高效能电源转换设计的栅极驱动器,LTC1623CMS8#PBF采用了紧凑的8引脚MSOP封装,体现了高集成度与空间效率的平衡。该器件是一款高端同步栅极驱动器,其核心架构旨在精确控制两个N沟道MOSFET,在同步降压或升压转换器拓扑中扮演关键角色。其工作电压范围覆盖2.7V至5.5V,使其能够兼容多种逻辑电平,并适用于由单节锂离子电池或3.3V/5V总线供电的系统。
该芯片的功能特点突出其设计的稳健性与高效性。其非反相输入逻辑简化了与控制器IC的接口设计,逻辑阈值(VIL=0.6V, VIH=1.4V)确保了在嘈杂的电源环境中也能实现可靠的信号识别。作为一款高端驱动器,它通过自举电容为高侧MOSFET的栅极提供高于其源极的驱动电压,这是实现高效同步整流的典型方案。其双驱动器配置专为驱动同步整流对中的高侧和低侧MOSFET而优化,尽管原始参数未提供具体的峰值输出电流与开关时间,但作为AD/ADI(Analog Devices)的产品,其内部电路设计通常注重提供低阻抗的驱动路径,以快速开启和关断功率MOSFET,从而最小化开关损耗,提升整体电源效率。
在接口与关键参数方面,LTC1623CMS8#PBF提供了简洁而强大的控制接口。其输入引脚直接接受来自PWM控制器的信号,驱动两个独立的输出引脚分别连接至高侧和低侧MOSFET的栅极。器件采用表面贴装型封装,便于自动化生产并节省PCB空间。其工作温度范围为0°C至70°C,适用于常见的商业级应用环境。对于需要确保供应链正品与技术支持的设计项目,通过正规的ADI授权代理进行采购是推荐的选择。
该器件的典型应用场景广泛,尤其在高效率DC-DC转换领域。它常被用于笔记本电脑、分布式电源系统、便携式仪器以及电信基础设施中的同步降压转换器。在这些应用中,芯片能够有效驱动功率MOSFET,实现从输入总线(如5V或12V)到更低电压(如1.8V、3.3V)的高效、稳压转换。其高端驱动的特性使其在需要处理输入电压浮动的拓扑中表现出色,是构建紧凑、高效开关电源模块的核心驱动组件之一。
- 型号:LTC1623CMS8#PBF
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:8-MSOP
- 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8MSOP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:高端
- 通道类型:同步
- 驱动器数:2
- 栅极类型:MOSFET(N 沟道)
- 电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V
- 逻辑电压- VIL,VIH:0.6V,1.4V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值(自举):-
- 上升/下降时间(典型值):-
- 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
- 供应商器件封装:8-MSOP
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LTC1623CMS8#PBF是亚德诺半导体(AD/ADI)推出的一款高端同步栅极驱动器IC,属于电源管理IC中的栅极驱动器产品系列。该器件采用8引脚MSOP封装,设计用于精确驱动两个N沟道MOSFET,在同步整流DC-DC转换器中实现高效的功率开关控制。
其核心特性包括2.7V至5.5V的宽供电电压范围,兼容常见的逻辑电平,并采用非反相输入逻辑,确保与PWM控制器的可靠接口。作为一款有源器件,它通过优化驱动能力,旨在快速切换功率MOSFET,从而最小化开关损耗,提升电源系统的整体效率与功率密度,适用于对空间和能效有严格要求的应用。
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