LTC1177IN-5（报价、图片、封装、技术参数及文档）

产品参考图片

LTC1177IN-5

制造厂商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
类别封装：集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器，封装:18-DIP
技术参数：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 18DIP
（丰富的AD公司产品，AD芯片采购平台）
（提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格）

点击下图下载技术文档

LTC1177IN-5 技术参数详情：

LTC1177IN-5是一款由Analog Devices（ADI）设计的高端栅极驱动器集成电路，采用经典的18引脚DIP通孔封装。其核心架构围绕一个高性能的驱动级构建，内部集成了电平转换和自举电路，专门设计用于在单电源供电条件下，高效、可靠地驱动N沟道功率MOSFET或IGBT的栅极。该架构确保了在高达数百伏的开关节点电压下，驱动信号能够被准确、无失真的传递至功率开关管的栅极，这对于开关电源、电机驱动等应用中的半桥或高端开关拓扑至关重要。

该器件的一个显著功能特点是其单通道、非反相的高端驱动配置。它接受来自低压侧控制器的逻辑电平输入信号，并将其转换为能够安全施加在悬浮于高电位开关节点上的功率器件栅极的高压驱动信号。其工作电压范围严格限定在4.75V至5.25V，典型值为5V，这使其能够与标准的5V逻辑系统（如微控制器、PWM控制器）直接兼容，简化了系统设计。输入端的非反相特性意味着输出驱动信号与输入逻辑信号相位一致，减少了控制环路设计的复杂性。

在接口与关键参数方面，LTC1177IN-5提供了简洁的接口，主要包含电源（Vcc）、地（GND）、输入（IN）和输出（OUT）引脚，以及用于自举供电的引脚。其设计重点在于提供强大的栅极驱动能力，虽然具体峰值灌入/拉出电流值未在基础参数中明确，但作为ADI的经典驱动芯片，其内部输出级通常具备快速充放电功率MOSFET栅极电容的能力，有助于降低开关损耗并提高系统效率。通孔DIP封装形式使其在原型开发、测试以及一些对可靠性要求极高的工业应用中具备优势，便于焊接和散热。需要获取该器件或寻求技术支持，可以联系专业的ADI授权代理。

尽管该器件目前已处于停产状态，但其典型应用场景依然具有参考价值。它非常适合用于需要单路高端开关控制的场合，例如DC-DC转换器中的同步整流高端开关、有刷直流电机的H桥驱动电路中的高端臂、以及某些非对称半桥拓扑。在这些应用中，它能够有效解决高端功率器件的栅极驱动电位悬浮问题，确保开关动作的快速与可靠，从而提升整个电源或驱动系统的性能和稳定性。